[发明专利]半导体器件制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件制造方法，其特征在于包括如下步骤：

提供半导体衬底，在该半导体衬底上形成STI结构，并进行阱区注入，形成NMOS区域和PMOS区域；

形成NMOS晶体管和PMOS晶体管，所述NMOS晶体管和所述PMOS晶体管包括虚设栅极和虚设栅极绝缘层；

在所述NMOS晶体管之上形成张应力层，在所述PMOS晶体管之上形成压应力层，其中，覆盖在源漏区域正上方的所述张应力层和所述压应力层的上表面低于所述虚设栅极的上表面；

全面性沉积TEOS保护层，其覆盖所述张应力层和所述压应力层；

进行第一次CMP工艺，暴露所述虚设栅极的顶部，并保留部分厚度的TEOS保护层；

依次去除所述虚设栅极和所述虚设栅极绝缘层，形成栅极凹槽；

进行第二次CMP工艺，去除剩余的所述TEOS保护层；

在所述栅极凹槽中，分别形成所述NMOS晶体管和所述PMOS晶体管的高K栅绝缘层和金属栅极。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成NMOS晶体管和PMOS晶体管具体包括：

形成所述虚设栅极和所述虚设栅极绝缘层；

形成栅极间隙壁；

形成晶体管的源漏区域。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述NMOS晶体管之上形成张应力层，在所述PMOS晶体管之上形成压应力层具体包括：

全面沉积一层张应力氮化硅膜，用图案化的光刻胶层保护位于所述NMOS晶体管的所述张应力氮化硅膜，去除位于所述PMOS晶体管的所述张应力氮化硅膜，然后去除光刻胶层，形成所述张应力层；

全面沉积一层压应力氮化硅膜，用图案化的光刻胶层保护位于所述PMOS晶体管的所述压应力氮化硅膜，去除位于所述NMOS晶体管的所述压应力氮化硅膜，然后去除光刻胶层，形成所述压应力层。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，覆盖在源漏区域正上方的所述张应力层和所述压应力层的上表面比所述虚设栅极的上表面至少低100埃。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，第一次CMP工艺之后，所保留的所述TEOS保护层厚度为100埃。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述张应力层和所述压应力层和厚度相同。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在第二次CMP工艺中，去除剩余的所述TEOS保护层，以覆盖在源漏区域正上方的所述张应力层和所述压应力层的上表面为终点。