[发明专利]一种低电阻率Mo薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 201210351237.5 | 申请日： | 2012-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN102828152A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 余洲;刘连;李珂 | 申请（专利权）人： | 成都欣源光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/14 | 分类号： | C23C14/14;C23C14/35 |
| 代理公司： | 成都中亚专利代理有限公司 51126 | 代理人： | 王岗 |
| 地址： | 610036 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电阻率 mo 薄膜 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种低电阻率Mo薄膜的制备方法，其特征在于：
操作步骤如下：
（1）溅射Mo缓冲层：
在高真空磁控溅射仪中安装金属Mo靶，纯度99．99％，基片依次用丙酮、酒精、去离子水超声清洗、干燥后放入溅射室；
将真空腔室的真空度抽到2.0 10-4 Pa，通入99.995%的高纯氩气作为工作气体，调节溅射室压力为3.5 Pa；
起辉，预溅Mo靶材10 min以去除靶表面的污染物；
用直流电源溅射沉积Mo薄膜，调节电源功率为4 W/cm2，待辉光稳定后打开衬底挡板沉积1~3 min，获得Mo缓冲层薄膜；
（2）溅射Mo薄膜：
将溅射室压力调节为0.15 Pa，调节直流电源的功率仍为4 W/cm2，待辉光稳定后打开衬底挡板沉积10~20 min，即在缓冲层上沉积了顶层薄膜，获得具有低电阻率的双层Mo薄膜。
2.根据权利要求1所述的一种低电阻率Mo薄膜的制备方法，其特征在于：所述基片为钠钙玻璃、不锈钢或钛合金。
3.根据权利要求1所述的一种低电阻率Mo薄膜的制备方法，其特征在于超声清洗时间为5~15 min。
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