[发明专利]喷墨头芯片的结构

权利要求书

1.一种喷墨头芯片的结构，包含：

一基板；

一闸极电极，形成于该基板之上；

一热障层，设置于该闸极电极的至少一侧，且覆盖于该基板之上；

一多晶硅层，形成于该热障层上，该多晶硅层具有一电阻区，及于该电阻区的两侧进行掺杂分别构成一导电区，且该多晶硅层的该电阻区与该导电区呈平整共存相接态；

一保护层，形成于该多晶硅层之上，并可平整覆盖该多晶硅层的该电阻区与该导电区；以及

一介电层，设置于该闸极电极与该多晶硅层之间，并于该介电层上形成一接触段与该多晶硅层的该导电区连接。

2.如权利要求1所述的喷墨头芯片的结构，其中该多晶硅层的该电阻区的材质与该闸极电极的材质相同。

3.如权利要求1所述的喷墨头芯片的结构，其中该喷墨头芯片的结构采用接触洞技术，以黄光、蚀刻的方式定义该介电层的该接触段。

4.如权利要求3所述的喷墨头芯片的结构，其中该接触段上形成一第一连接区，以一第一导线形成该第一连接区上与该多晶硅层的导电区连接，且该第一导线由铜铝合金的材质所形成。

5.如权利要求4所述的喷墨头芯片的结构，其中该保护层上形成一第二导线，且该保护层上定义出一介层洞，并于该介电层上形成一第二连接区，该第二连接区用以连接该第一导线与该第二导线。

6.如权利要求5所述的喷墨头芯片的结构，其中该第二导线由金材质所形成。

7.如权利要求1所述的喷墨头芯片的结构，其中该基板为一硅基板。

8.如权利要求1所述的喷墨头芯片的结构，其中该热障层为一二氧化硅层。

9.如权利要求1所述的喷墨头芯片的结构，其中该导电区以离子植入、扩散、其他方式至少其中之一进行掺杂以构成。

10.如权利要求1所述的喷墨头芯片的结构，其中该保护层为氮化硅、碳化硅、钽至少其中之一。