[发明专利]导电薄膜、其制备方法及应用无效

专利信息
申请号: 201210351628.7 申请日: 2012-09-20
公开(公告)号: CN103668065A 公开(公告)日: 2014-03-26
发明(设计)人: 周明杰;王平;陈吉星;黄辉 申请(专利权)人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
主分类号: C23C14/08 分类号: C23C14/08;C23C14/28;H01L51/56;H05B33/00
代理公司: 广州三环专利代理有限公司 44202 代理人: 郝传鑫;熊永强
地址: 518000 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 导电 薄膜 制备 方法 应用
【权利要求书】:

1.一种导电薄膜,其特征在于,包括层叠的GAZO层及ReO3层,其中,GAZO层为氧化镓,氧化铝和氧化锌掺杂的薄膜层。

2.一种导电薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

将GAZO靶材、ReO3靶材及衬底装入脉冲激光沉积设备的真空腔体,其中,真空腔体的真空度为1.0×10-3Pa~1.0×10-5Pa,GAZO靶材为氧化镓,氧化铝和氧化锌掺杂靶材;

在所述衬底表面沉积GAZO层,沉积所述GAZO层的工艺参数为:基靶间距为45mm~95mm,脉冲激光功率为80W~300W,工作压强3Pa~30Pa,惰性工作气体的流量为10sccm~40sccm,衬底温度为250℃~750℃;

在所述GAZO层表面沉积ReO3层,沉积所述ReO3层的工艺参数为:基靶间距为45mm~95mm,脉冲激光功率为80W~300W,工作压强3Pa~30Pa,工作气体的流量为10sccm~40sccm,衬底温度为250℃~750℃;

剥离所述衬底,得到所述导电薄膜。

3.根据权利要求2所述的导电薄膜的制备方法,其特征在于,所述GAZO层的厚度为50nm~300nm,所述ReO3层的厚度为3nm~20nm。

4.根据权利要求2所述的导电薄膜的制备方法,其特征在于,所述GAZO靶材由以下步骤得到:按照各组份摩尔比为(0.1~10):(0.3~15):(75~99.6)将Ga2O3,Al2O3和ZnO粉体混合均匀,将混合均匀的粉体在900℃~1300℃下烧结制成靶材。

5.根据权利要求2所述的导电薄膜的制备方法,其特征在于,所述ReO3靶材由以下步骤得到:将ReO3粉体在700℃~1100℃下烧结制成靶材。

6.一种有机电致发光器件的基板,其特征在于,包括依次层叠的衬底、GAZO层及ReO3层,其中,GAZO层为氧化镓,氧化铝和氧化锌掺杂的薄膜层。

7.一种有机电致发光器件的基板的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

将GAZO靶材、ReO3靶材及衬底装入脉冲激光沉积设备的真空腔体,其中,真空腔体的真空度为1.0×10-3Pa~1.0×10-5Pa,GAZO靶材为氧化镓,氧化铝和氧化锌掺杂靶材;

在所述衬底表面沉积GAZO层,沉积所述GAZO层的工艺参数为:基靶间距为45mm~95mm,脉冲激光功率为80W~300W,工作压强3Pa~30Pa,工作气体的流量为10sccm~40sccm,衬底温度为250℃~750℃;及

在所述GAZO层表面沉积ReO3层,沉积所述ReO3层的工艺参数为:基靶间距为45mm~95mm,脉冲激光功率为80W~300W,工作压强3Pa~30Pa,工作气体的流量为10sccm~40sccm,衬底温度为250℃~750℃。

8.根据权利要求7所述的有机电致发光器件的基板的制备方法,其特征在于,所述GAZO靶材由以下步骤得到:按照各组份摩尔比为(0.1~10):(0.3~15):(75~99.6)将Ga2O3,Al2O3和ZnO粉体混合均匀,将混合均匀的粉体在900℃~1300℃下烧结制成靶材。

9.根据权利要求7所述的有机电致发光器件的基板的制备方法,其特征在于,所述ReO3靶材由以下步骤得到:将ReO3粉体在700℃~1100℃下烧结制成靶材。

10.一种有机电致发光器件,包括依次层叠的阳极、发光层以及阴极,其特征在于,所述阳极包括依次层叠的衬底、GAZO层及ReO3层,其中,GAZO层为氧化镓,氧化铝和氧化锌掺杂的薄膜层。

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