[发明专利]抛光含钨基材的方法有效

专利信息
申请号: 201210351724.1 申请日: 2008-01-31
公开(公告)号: CN102863902A 公开(公告)日: 2013-01-09
发明(设计)人: 罗伯特.瓦卡西;迪内施.卡纳;亚历山大.辛普森 申请(专利权)人: 卡伯特微电子公司
主分类号: C09G1/02 分类号: C09G1/02;C23F3/06
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 宋莉
地址: 美国伊*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 抛光 基材 方法
【权利要求书】:

1.一种化学机械抛光组合物,其包含:

(a)铁离子,

(b)钨蚀刻抑制剂,其中该钨蚀刻抑制剂为包含至少一种含有至少一个含氮杂环或叔氮或季氮原子的重复基团的聚合物、共聚物或聚合物共混物,且其中该钨蚀刻抑制剂以1ppm至1000ppm的量存在,

(c)二氧化硅,

(d)丙二酸,及

(e)水。

2.权利要求1的化学机械抛光组合物,其中该钨蚀刻抑制剂为聚乙烯基咪唑。

3.权利要求2的化学机械抛光组合物,其中该钨蚀刻抑制剂为聚(1-乙烯基咪唑)。

4.权利要求1的化学机械抛光组合物,其中该钨蚀刻抑制剂为二烷基胺-表氯醇共聚物。

5.权利要求1的化学机械抛光组合物,其中该钨蚀刻抑制剂为2,2'-二氯二乙醚与双[ω-(N,N-二烷基)烷基]脲的共聚物。

6.权利要求1的化学机械抛光组合物,其中该钨蚀刻抑制剂为聚氯化(二烯丙基二甲基铵)。

7.权利要求1的化学机械抛光组合物,其中该钨蚀刻抑制剂包含具有下式的重复单元:

[CH2=C(R1)C(=O)O(CH2)nNR23]+

其中R1为氢或甲基,R2选自C1-C10烷基、C7-C10烷基芳基和C6-C10芳基,且n为2至10的整数。

8.权利要求7的化学机械抛光组合物,其中该钨蚀刻抑制剂为聚氯化[2-(甲基丙烯酰氧基)乙基]三甲基铵或聚溴化[2-(甲基丙烯酰氧基)乙基]三甲基铵。

9.权利要求8的化学机械抛光组合物,其中该抛光组合物进一步包含过氧化氢。

10.权利要求9的化学机械抛光组合物,其中铁离子以0.0002M至0.4M的浓度存在。

11.权利要求10的化学机械抛光组合物,其中该抛光组合物具有1至6的pH值。

12.权利要求1的化学机械抛光组合物,其中该抛光组合物进一步包含过化合物。

13.权利要求12的化学机械抛光组合物,其中该过化合物为过氧化氢。

14.权利要求1的化学机械抛光组合物,其中该抛光组合物进一步包含氨基酸。

15.权利要求14的化学机械抛光组合物,其中该氨基酸为甘氨酸。

16.权利要求1的化学机械抛光组合物,其中铁离子以0.0002M至0.4M的浓度存在。

17.权利要求16的化学机械抛光组合物,其中铁离子以0.0002M至0.04M的浓度存在。

18.权利要求1的化学机械抛光组合物,其中该抛光组合物具有1至6的pH值。

19.权利要求18的化学机械抛光组合物,其中该抛光组合物具有1至4的pH值。

20.权利要求1的化学机械抛光组合物,其中该抛光组合物包含:

(a)0.0002M至0.4M的硝酸铁,

(b)1ppm至1000ppm的选自以下的聚合物:聚乙烯基咪唑、二甲胺-表氯醇共聚物、聚[二(2-氯乙基)醚-交替-1,3-双[3-(二甲氨基)丙基]脲]、以及聚氯化[2-(甲基丙烯酰氧基)乙基]三甲基铵,

(c)过氧化氢,

(d)二氧化硅,及

(e)水,

其中pH值为1至6。

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