[发明专利]具有减小的负载的氧化物薄膜晶体管(TFT)的显示像素

权利要求书

1.一种显示设备，包括：

包括按行和列布置的多个显示像素的液晶显示器(LCD)面板，其中每个所述显示像素包括：

像素电极；以及

耦合到源极线和栅极线的薄膜晶体管(TFT)，其中所述TFT包含源极、沟道和漏极，并且其中所述栅极线包括第一孔，所述第一孔至少部分地与漏极重叠并被配置为通过减小所述栅极线的面积来减小寄生电容。

2.如权利要求1所述的显示设备，其中所述沟道包括金属氧化物半导体材料。

3.如权利要求1所述的显示设备，其中寄生电容的减小降低了所述栅极线中的负载。

4.如权利要求1所述的显示设备，其中所述栅极线包括第二孔，所述第二孔至少部分地被形成在所述TFT的所述源极之下，其中所述源极至少部分地与所述第二孔重叠。

5.一种生产用于显示设备的薄膜晶体管(TFT)的方法，包括：

提供基底；

在所述基底之上形成栅极线，其中所述栅极线限定所述TFT的栅极；

在所述栅极线中形成至少一个孔，其中形成所述至少一个孔包括在所述栅极线的通常在将形成所述TFT的漏极的位置下面的区域中形成第一孔；

在所述栅极线之上形成金属氧化物有源层；

在所述金属氧化物有源层之上形成蚀刻阻止层；

在所述蚀刻阻止层中形成第一孔和第二孔；

在所述第一孔和所述第二孔之上沉积导电材料，以在所述第一孔之上形成源极并在所述第二孔之上形成漏极；

在所述源极和漏极之上形成有机钝化层；

在所述有机钝化层中蚀刻第三孔，所述第三孔暴露所述漏极的至少一部分；

在所述有机钝化层和所述漏极的暴露部分之上形成公共电压电极；

在所述公共电压电极层中蚀刻第四孔，所述第四孔暴露所述有机钝化层和所述漏极的至少一部分；

在所述公共电压电极层和所述有机钝化层与所述漏极的暴露部分之上形成钝化层；以及

蚀刻第五孔，所述第五孔暴露所述漏极的一部分；

其中所述第一孔至少部分地与所述漏极重叠。

6.如权利要求5所述的方法，还包括在所述钝化层之上形成像素电极，其中所述像素电极通过所述第五孔接触所述漏极的暴露部分。

7.如权利要求5所述的方法，其中形成所述至少一个孔包括在所述栅极线的通常在所述TFT的源极下面的区域中形成第二孔，以使所述第二孔至少部分地与所述源极重叠。

8.如权利要求7所述的方法，其中形成在所述栅极线中的所述第一孔和所述第二孔中的每一个被配置为减小所述TFT的部件和所述栅极线之间的寄生电容。

9.如权利要求5所述的方法，包括在形成所述金属氧化物有源层之前，在所述栅极线之上沉积栅极绝缘层。

10.一种显示设备，包括：

包括按行和列布置的多个显示像素的液晶显示器(LCD)面板，其中每个所述显示像素包括：

像素电极；以及

耦合到源极线和栅极线的薄膜晶体管(TFT)，其中所述栅极线包括在垂直方向上向外延伸的突出部，并且其中所述TFT包括：

包括第一部分和第二部分的L形金属氧化物有源层，所述第一部分平行于所述栅极线，而所述第二部分垂直于所述栅极线但平行于所述突出部；

形成于所述L形金属氧化物有源层的所述第一部分的末端处的源极；以及

形成于所述L形金属氧化物有源层的所述第二部分的末端的漏极，其中所述突出部仅部分地与所述漏极重叠。

11.如权利要求10所述的显示设备，其中所述栅极线包括形成在通常位于所述源极之下的区域中的孔，其中所述源极至少部分地与所述孔重叠。

12.如权利要求10所述的显示设备，包括形成在所述漏极之上的像素接触孔，其中所述像素接触孔被置于连接至所述TFT的所述源极的源极线和相邻的源极线之间。

13.如权利要求12所述的显示设备，其中所述像素接触孔距离所述源极线和所述相邻的源极线的距离相等。