[发明专利]一种单一体系单一电荷选择性分离装置及应用无效
申请号: | 201210352164.1 | 申请日: | 2012-09-21 |
公开(公告)号: | CN102895876A | 公开(公告)日: | 2013-01-30 |
发明(设计)人: | 龙亚峰;陈勇;张素霞;卞书娟 | 申请(专利权)人: | 上海应用技术学院 |
主分类号: | B01D57/00 | 分类号: | B01D57/00 |
代理公司: | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人: | 吴宝根 |
地址: | 200235 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 单一 体系 电荷 选择性 分离 装置 应用 | ||
1.一种单一体系单一电荷选择性分离装置,其特征在于所述的单一体系单一电荷选择性分离装置包括底座和底座正中心向上延伸的中空圆柱管组成。
2.如权利要求1所述的一种单一体系单一电荷选择性分离装置,其特征在于所述的底座和底座正中心向上延伸的中空圆柱管的材质为石英。
3.如权利要求2所述的单一体系单一电荷选择性分离装置,其特征在于整个装 置高即底座和底座正中心向上延伸的中空圆柱管总高度为底座高的6倍。
4.如权利要求3所述的单一体系单一电荷选择性分离装置,其特征在于所述的底座高与底座直径之比为1:10。
5.如权利要求4所述的单一体系单一电荷选择性分离装置,其特征在于所述的底座正中心向上延伸的中空圆柱管的内径与外径之比为2:3。
6.如权利要求5所述的单一体系单一电荷选择性分离装置,其特征在于所述的底座正中心向上延伸的中空圆柱管的管顶、底座上沿和底座下沿均采用高度为比底座高度小10倍,斜度为0.5度斜切角处理。
7.如权利要求1~6任一权利要求所述的单一体系单一电荷选择性分离装置,其特征在于所述的底座和底座正中心向上延伸的中空圆柱管一体成型。
8.如权利要求1~6任一权利要求所述的单一体系单一电荷选择性分离装置应用于膜修饰液/液界面方面。
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