[发明专利]检测方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体制程，特别是涉及一种晶粒(die)的检测方法。

背景技术

以往的一种晶粒的检测方法，适用于量测黏着于胶膜上且已彼此劈裂的数个晶粒，由于以往在检测晶粒时，并不考虑到晶粒之间彼此的间距所造成的影响，也就是说，以往皆将晶粒间的间距视为相同，但实际上的情况为，在劈裂扩张后，晶粒彼此间的间距并不相同。而且晶粒之间不同的间距在进行光性检测(optics measurement)时，会对检测结果产生一定的误差影响。

因此，一种可以将晶粒的间距纳入晶粒检测标准以减少误差影响，及晶粒依据晶粒间距而加入光性检测补正的检测方法，已成为目前相关业者的研发目标之一。

发明内容

本发明的目的在于提供一种可以将晶粒的间距作为是否要对晶粒进行检测的标准，及晶粒依据晶粒彼此间的间距而加入光性检测补正的检测方法。

本发明检测方法，适用于量测黏着于胶膜上且已彼此劈裂的数个晶粒，该检测方法包含以下步骤：

（A）提供一个针对晶粒间距的标准间距范围，及一个大于该标准间距范围的临界间距范围；

（B）量测并记录所述晶粒彼此间的间距；

（C）将所记录的所述晶粒彼此间的间距分别与该标准间距范围及该临界间距范围进行比较；及

（D）依比较结果判断是否对所述晶粒进行检测；

其中，步骤（A）与步骤（B）的顺序可互换。

本发明的检测方法，包含一个实施于该步骤（B）后的步骤（E），在该步骤（E）中，是依据该步骤（B）所测得的晶粒彼此间的间距关系绘制出一个对应图面。

本发明的检测方法，包含一个实施于该步骤（D）后的步骤（F），在该步骤（F）中，针对间距超过该临界间距范围的晶粒省略检测。

本发明的检测方法，包含一个实施于该步骤（D）后的步骤（G），在该步骤（G）中，对间距未超出该临界间距范围的晶粒进行检测。

本发明的检测方法，包含一个实施于该步骤（G）后的步骤(H)，在该步骤（H）中，根据已记录的所述晶粒彼此间的间距，对间距超过该标准间距范围的晶粒的检测结果进行换算补正。

本发明的检测方法，该步骤（G）所进行的检测为光性检测。

本发明检测方法的有益效果在于：在进行检测以前，就先量测并记录所述晶粒彼此间的间距，因此，可以在检测前就先判断相邻晶粒的间距是否超出标准间距范围或临界间距范围，作为晶粒是否检测的判断依据。接着，依判断结果依序对所述晶粒进行检测，并根据所述晶粒彼此间的间距对晶粒的光性检测结果进行补正，因而能提高检测结果的准确度。

附图说明

图1是一个流程图，说明本发明检测方法的一个较佳实施例；

图2是一个示意图，说明本较佳实施例的数个晶粒；

图3是一个示意图，说明本较佳实施例依据所记录的晶粒的间距关系绘制出的对应图面，本图由计算机软件绘制，仅为说明本发明一种对应图面的绘制态样，因此对于权利要求的保护范围并无影响，仅起到说明功效的作用。

具体实施方式

下面结合附图及实施例对本发明进行详细说明。

参阅图1与图2，本发明检测方法的一个较佳实施例，适用于量测黏着于胶膜1上且已彼此劈裂的数个晶粒2，由于间距大小对晶粒的光性检测数据影响较大，以下的检测方法是以光性检测为例进行说明，需要进行光性检测的晶粒主要是应用于LED等发光元件上。该检测方法包含以下步骤：

首先，进行一步骤101，针对晶粒2间距，提供一个标准间距范围，及一个大于该标准间距范围的临界间距范围。该标准间距范围及该临界间距范围可依据所用的晶粒类型、晶粒的用途或设计需求分别设定，并使标准间距范围被涵盖在临界间距范围内。

再进行一步骤100，量测并记录所述晶粒2彼此间的间距。其中，步骤101与步骤100的顺序不受限，即使互换，仍然能够获得预定的效果。

接续地，进行一步骤200，依据该步骤100所测得的晶粒2彼此间的间距关系绘制成对应图面，以让使用者可以观看对应图面掌控检测流程。

而后，进行一步骤300，将所记录的所述晶粒彼此间的间距分别与该标准间距范围及该临界间距范围进行比较。