[发明专利]化合物半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种化合物半导体器件，包括：

化合物半导体层；

由单一材料构成并且形成为覆盖所述化合物半导体层的均质膜并且具有形成于其中的开口的绝缘膜；以及

形成于所述化合物半导体层之上以填充所述开口的栅极，

所述化合物半导体器件还具有形成在所述开口的一个边缘部分处的含氧保护部。

2.根据权利要求1所述的化合物半导体器件，其中所述保护部是形成为在所述栅极与所述绝缘膜之间覆盖所述开口的所述一个边缘部分的氧化物膜。

3.根据权利要求2所述的化合物半导体器件，其中所述氧化物膜具有朝着所述氧化物膜的端部变薄的渐薄结构。

4.根据权利要求2所述的化合物半导体器件，其中所述氧化物膜形成为从所述绝缘膜的表面延伸，覆盖所述开口的侧面，以与所述开口的露出所述化合物半导体层表面的底表面的一部分交叠。

5.根据权利要求1所述的化合物半导体器件，其中所述保护部是所述绝缘膜的局部表面部分。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的化合物半导体器件，其中形成在所述绝缘膜中的所述开口具有比所述栅极的宽度窄的宽度，以及

所述保护部位于所述栅极下方。

7.一种制造化合物半导体器件的方法，包括：

形成由单一材料构成并且形成为覆盖化合物半导体层的均质膜并且具有形成于其中的开口的绝缘膜；以及

在形成于所述绝缘膜中的所述开口的一个边缘部分处形成含氧保护部；以及

在所述化合物半导体层之上形成栅极以填充所述开口。

8.根据权利要求7所述的制造化合物半导体器件的方法，其中在形成所述保护部的步骤中，形成氧化物膜以覆盖所述开口的边缘部分，以产生所述保护部。

9.根据权利要求8所述的制造化合物半导体器件的方法，其中将所述氧化物膜形成为朝着所述氧化物膜的端部变薄。

10.根据权利要求8所述的制造化合物半导体器件的方法，其中将所述氧化物膜形成为从所述绝缘膜的表面延伸，覆盖所述开口的侧面，以与所述开口的露出所述化合物半导体层表面的底表面的一部分交叠。

11.根据权利要求7所述的制造化合物半导体器件的方法，其中在形成所述保护部的步骤中，将氧仅引入到所述绝缘膜的一个边缘部分的表面部分中，以使所述表面部分成为所述保护部。

12.根据权利要求7至11中任一项所述的制造化合物半导体器件的方法，其中将所述开口形成在所述绝缘膜中，并且将所述开口的宽度调节为窄于所述栅极的宽度，以及

将所述保护部形成为位于所述栅极的下方。

13.一种电源电路，包括：变压器；以及高压电路和低压电路，将变压器设置为置于所述高压电路与所述低压电路之间，

所述高压电路具有晶体管，

所述晶体管具有：

化合物半导体层；

由单一材料构成并形成为覆盖所述化合物半导体层的均质膜并

且具有形成在其中的开口的绝缘膜；以及

形成在所述化合物半导体层之上以填充所述开口的栅极，

所述晶体管还具有形成在所述开口的一个边缘部分处的含氧保护部。

14.一种高频放大器，所述高频放大器接收高频电压并且提供放大的输出，

所述高频放大器具有晶体管，

所述晶体管具有：

化合物半导体层；

由单一材料构成并且形成为覆盖所述化合物半导体层的均质膜并且具有形成在其中的开口的绝缘膜；以及

形成在所述化合物半导体层之上以填充所述开口的栅极，所述晶体管还具有形成在所述开口的一个边缘部分处的含氧保护部。