[发明专利]腔壁温度可由生长程序实时设置的气相外延反应管

权利要求书

1.一种腔壁温度可由生长程序实时设置的气相外延反应管，包括反应室和控制系统，在反应室内安装有MOCVD加热器，在MOCVD加热器的上面依次从下至上安装有石墨衬底基座和外延衬底，MOCVD加热器对石墨基座进行加热控温，石墨基座对外延衬底进行加热，在反应室内、外延衬底的上方安装有正对外延衬底且与外延衬底间隔放置的MOCVD喷头，在反应室的顶板中间设有一个进气孔，在反应室的底板两边各设有一个排气孔，特征是：在反应室内壁的顶部、四周侧壁上设有封闭的循环介质通道，在反应室的左侧壁和右侧壁上分别设有反应室循环介质入口和反应室循环介质出口，反应室循环介质入口将循环介质通道和恒温机的恒温机循环介质出口连接在一起，反应室循环介质出口将循环介质通道和恒温机的恒温机循环介质入口连接在一起，使得循环介质在反应室的循环介质通道和恒温机之间循环流通；反应室和恒温机受控制系统控制。

2.根据权利要求1所述的腔壁温度可由生长程序实时设置的气相外延反应管，其特征在于：循环介质为导热油、水或钠液体中的一种，循环介质的温度在20-600℃。

3.根据权利要求2所述的腔壁温度可由生长程序实时设置的气相外延反应管，其特征在于：导热油的温度为20-350℃，液态钠的温度为100--600℃。