[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种使用了SOI衬底的半导体装置，该SOI衬底具有：基体材料层；半导体层，形成在该基体材料层上；埋入绝缘膜，介于所述基体材料层和所述半导体层之间，将所述半导体层与所述基体材料层电隔离，其特征在于，具备：

栅极绝缘膜，形成在所述半导体层上；

栅极电极，沿所述半导体层的上表面形成在所述栅极绝缘膜上，在预定的第一方向具有宽度并且在与所述第一方向交叉的第二方向具有长度；

多个源极扩散区域，在所述第二方向的所述栅极电极的两侧中的一侧，在所述半导体层内形成为第一导电型的杂质扩散区域，并且沿所述第一方向排列；

多个电荷收集区域，在所述一侧，在所述半导体层内形成为与所述第一导电型不同的第二导电型的杂质扩散区域，并且沿所述第一方向排列；

漏极扩散区域，在所述栅极电极的该两侧中的另一侧，在所述半导体层内形成为与所述第一导电型相同的导电型的杂质扩散区域；

体区域，以被所述埋入绝缘膜、所述多个源极扩散区域、所述多个电荷收集区域、所述漏极扩散区域包围的方式形成在所述半导体层内；以及

电场缓和区域，以介于所述体区域和所述漏极扩散区域之间的方式形成在所述半导体层内，

所述源极扩散区域和所述电荷收集区域沿所述第一方向交替排列，

在将所述第一方向的所述源极扩散区域的各自的宽度设为W_eff、将所述栅极电极的长度设为L_g、将所述第二方向的所述电场缓和区域的长度设为L_drift时，W_eff/2≤L_g＋L_drift/2的关系式成立。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

以所述第二方向的所述电场缓和区域的电场强度分布的最大峰值位置与所述第二方向的所述电场缓和区域的中央一致方式将所述电场缓和区域的杂质浓度最优化。

3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

所述电场缓和区域具有与所述第一导电型相同的导电型并且具有比所述漏极扩散区域低的杂质浓度。

4.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

所述体区域具有与所述第二导电型相同的导电型并且与所述电场缓和区域接合，

所述体区域和所述电场缓和区域的接合位置与所述第二方向的所述栅极电极的一端的位置一致。

5.如权利要求1～4的任意一项所述的半导体装置，其特征在于，

在将所述第一方向的所述电荷收集区域的各自的宽度设为W_tie时，W_tie≤W_eff的关系式也成立。

6.如权利要求1～5中的任意一项所述半导体装置，其特征在于，

在所述多个源极扩散区域存在N个时，L_g＋L_drift/2≤N×W_eff的关系式也成立，其中，N为2以上的整数。

7.如权利要求1～6中的任意一项所述的半导体装置，其特征在于，

还具备对在所述半导体层内形成的活性区域进行划分的元件隔离结构，

所述多个源极扩散区域和所述多个电荷收集区域形成在所述活性区域内，

在所述第一方向的所述活性区域的两端部分别形成有所述电荷收集区域。

8.如权利要求1～7中的任意一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体层是硅层，

所述埋入绝缘膜包括硅氧化膜。