[发明专利]部分三模冗余SRAM型FPGA的单粒子翻转特性的测试方法

权利要求书

1.一种部分三模冗余SRAM型FPGA的单粒子翻转特性的测试方法，包括：

1）用LET值大于翻转阈值的高能粒子，在设定的注量率下辐照被测器件，当器件输出特性不正确且在停止粒子束辐照的时间T1内器件功能未恢复正常时，则记录1次单粒子错误，重新配置FPGA器件功能，并多次重复辐照被测器件以得到累计的单粒子错误，并计算单粒子错误截面；

2）使粒子的LET值不变而注量率降低，并重复上述步骤1），得到另一单粒子错误截面，若该单粒子错误截面与前一次单粒子错误截面的差异小于一预定值，则取该次单粒子错误截面为被测器件的最终单粒子错误截面值，若该单粒子错误截面与前一次单粒子错误截面之差大于一预定值，则继续重复该步骤2）；

3）提供另一与被测器件相同的不进行三模冗余加固的对比器件，用与步骤1）中的LET值相同的高能粒子，在对比注量率下，辐照对比器件，当器件输出特性不正确且在停止粒子束辐照的时间T1内器件功能未恢复正常，则记录1次单粒子错误，并多次重复辐照对比器件以得到多次单粒子错误，并计算单粒子错误截面；

4）计算未三模冗余加固的对比器件的单粒子错误截面与步骤2）得到的被测器件的最终单粒子错误截面的比值。

2.根据权利要求1所述的方法，根据步骤4）得到的比值判断加固效果，比值越大，则说明三模冗余加固效果大，比值越小，说明三模冗余加固效果越小。

3.根据权利要求1所述的方法，其中上述步骤1）和步骤3）中，停止辐照的时间T1为20至50秒。

4.根据权利要求1所述的方法，其中上述步骤1）中，多次重复辐照被测器件，直到累积出现预定次数的单粒子错误时停止辐照。

5.根据权利要求1所述的方法，其中上述步骤1）中，多次重复辐照被测器件，直到辐照累积注量达到预定量时停止辐照·。

6.根据权利要求1所述的方法，其中上述步骤3），多次重复辐照对比器件，直到累积出现预定次数的单粒子错误时停止辐照。

7.根据权利要求1所述的方法，其中上述步骤3）中，多次重复辐照对比器件，直到辐照累积注量达到预定量时停止辐照。

8.根据权利要求1所述的方法，其中上述步骤3中），所述对比注量率比步骤1）中所述的最终单粒子错误截面值所对应的注量率大两个数量级。

9.根据权利要求1所述的方法，其中步骤2）中所述的预定值在0-10%之间。