[发明专利]一种用于铜互连的合金抗铜扩散阻挡层及其制造方法无效
| 申请号： | 201210356083.9 | 申请日： | 2012-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN102881677A | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 孙清清;房润辰;张卫;王鹏飞;周鹏 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 互连 合金 扩散 阻挡 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于铜互连的抗铜扩散阻挡层，其特征在于在合金抗铜扩散阻挡层中，所述的合金为钴钌合金、钌钽合金、钴钽合金、钌钨合金或者为钨钽合金。
2.一种用于铜互连的合金抗铜扩散阻挡层的制造方法，包括：
在提供的半导体基底表面生长第一层绝缘薄膜；
刻蚀所述第一层绝缘薄膜形成互连通孔；
将所形成的芯片放入原子层淀积设备中，并将第一种金属的金属源及其还原剂源和第二种金属的金属源及其还原剂源依次通入到原子层淀积设备中，采用原子层淀积工艺在所形成的互连通孔的底壁和侧壁以及所述第一层绝缘薄膜的表面生长一层由第一种金属和第二种金属构成的合金抗铜扩散阻挡层。
3.如权利要求2所述的用于铜互连的合金抗铜扩散阻挡层的制造方法，其特征在于，由所述第一种金属和所述第二种金属形成的合金为钴钌合金、钌钽合金、钴钽合金、钌钨合金或者为钨钽合金。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于复旦大学，未经复旦大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210356083.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
