[发明专利]光生伏打电池制造

权利要求书

1.一种制造至少一个半导体光伏器件的方法，所述方法包括以下步骤：

获得与半导体光伏器件制造工艺的至少一个阶段相关联的至少一个半导体晶片的多个图像；

对所述多个图像中的至少两个图像进行比较，以便识别出所述至少一个晶片中的瑕疵的发生或增大；以及

确定所识别出的这种瑕疵的发生或增大是否超出预定的可接受度水平。

2.根据权利要求1的方法，其中，所述半导体光伏器件是晶片、光生伏打电池或光生伏打模块。

3.根据权利要求1或2的方法，其中，所述图像是发光图像。

4.根据权利要求1或2的方法，其中，所述瑕疵的发生或增大是由从晶片生产到模块生产的制造工艺当中的一个或多个阶段所引发的。

5.根据权利要求1或2的方法，其中，当所识别出的瑕疵超出预定的可接受度水平时，丢弃所述半导体晶片、矫正所述瑕疵以及/或者将所述晶片发送到替换制造工艺。

6.根据权利要求1或2的方法，其中，所述至少一个半导体晶片由多晶硅形成。

7.根据权利要求1或2的方法，其中，所述瑕疵包括晶片、光生伏打电池或光生伏打模块中的机械瑕疵、电瑕疵或外观瑕疵当中的一种或多种。

8.根据权利要求7的方法，其中，所述瑕疵包括多晶硅晶片或单晶硅晶片中的裂缝、旁路、晶体缺陷或污染，或者包括多晶硅晶片或单晶硅晶片的裂缝、旁路、晶体缺陷或污染。

9.根据权利要求1或2的方法，其中，所述至少两个图像是在所述半导体光伏器件制造工艺中的不同位置处取得的单一晶片的多个图像。

10.根据权利要求9的方法，其中，获得所述至少一个半导体晶片的所述多个图像发生在所述半导体光伏器件制造工艺的一个阶段之前和/或之后。

11.根据权利要求10的方法，其中，获得所述至少一个半导体晶片的所述多个图像发生在所述半导体光伏器件制造工艺的多个阶段之前和/或之后。

12.根据权利要求10的方法，其中，获得所述至少一个半导体晶片的所述多个图像发生在所述半导体光伏器件制造工艺的以下阶段中的至少一个阶段之前和/或之后：

（i）晶片锯制；

（ii）晶片的锯损伤蚀刻；

（iii）发射极扩散；

（iv）氮化硅沉积；

（v）在晶片上形成金属接触；

（vi）晶片的热处理；

（vii）边缘隔离；

（viii）由晶片制造的光生伏打电池的电测试；以及

（ix）将光生伏打电池合并到光生伏打模块中的过程中的一个或多个阶段。

13.根据权利要求1或2的方法，还包括对所述多个图像中的每一个进行处理，以便获得与所述至少一个半导体晶片中的瑕疵的发生相关的度量。

14.根据权利要求13的方法，其中，所述处理包括检测每个图像内的空间特征并且把来自所述至少一个半导体晶片的至少两个图像的空间特征信息进行比较，以便揭示已经产生或改变的那些空间特征。

15.根据权利要求14的方法，其中，所述空间特征是从包括边缘、线、晶粒间界、位错线以及减小发光信号的区域的组当中选择的。

16.根据权利要求1或2的方法，还包括对所述多个图像执行模式识别的步骤。

17.根据权利要求1或2的方法，还包括确定与所述半导体光伏器件制造工艺的相应阶段相关联的瑕疵发生和/或增大的统计量，从而评估该相应阶段的性能水平。

18.根据权利要求1的方法，其中，所述至少两个图像是在所述半导体光伏器件制造工艺的一个位置处取得的电结构相似的两个晶片的图像。

19.根据权利要求18的方法，其中，所述两个晶片源自相同源材料。

20.根据权利要求19的方法，其中，所述两个晶片最初是相邻的并且是从所述源材料连续得到的。