[发明专利]用于微反应器的绝热的方法及设备有效
申请号: | 201210356871.8 | 申请日: | 2012-09-21 |
公开(公告)号: | CN103007856B | 公开(公告)日: | 2018-10-23 |
发明(设计)人: | B·琼斯;P·费奥里尼;田中浩之 | 申请(专利权)人: | IMEC公司;鲁汶天主教大学;松下电器产业株式会社 |
主分类号: | B01J19/00 | 分类号: | B01J19/00 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 管琦琦 |
地址: | 比利*** | 国省代码: | 比利时;BE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 反应器 绝热 方法 设备 | ||
1.一种微流控设备(104),所述设备包括:
半导体衬底(900);
在所述半导体衬底(900)中的至少一个微反应器(105);
在所述半导体衬底(900)中连接至所述至少一个微反应器(105)的一个或多个非贯通微流控通道(101);
结合至所述半导体衬底(900)以便密封所述一个或多个微流控通道(101)的覆盖层(106);以及
围绕所述至少一个微反应器(105)和所述一个或多个微流控通道(101)的至少一个贯通衬底的沟(100),所述围绕使得所述至少一个微反应器(105)和所述一个或多个微流控通道(101)彼此之间并且与所述微流控设备(104)的其它部分之间被所述至少一个贯通衬底的沟(100)分隔开,其中所述一个或多个微流控通道(101)部分地、完全地或者多次地围着所述微反应器(105)缠绕。
2.根据权利要求1所述的微流控设备(104),进一步包括用于加热或冷却所述微反应器的装置。
3.根据前述任意权利要求所述的微流控设备(104),其中所述贯通衬底的沟(100)是气隙。
4.根据权利要求1至2中任意一项权利要求所述的微流控设备(104),其中所述贯通衬底的沟(100)是用绝热材料填充的。
5.根据权利要求1至2中任意一项权利要求所述的微流控设备(104),其中所述覆盖层(106)被阳极结合至所述半导体衬底(900)。
6.根据权利要求1至2中任意一项权利要求所述的微流控设备(104),进一步包括用以控制所述至少一个微反应器(105)的温度的温度控制系统。
7.一种微流控系统,包括根据权利要求1至6中任意一项权利要求所述的微流控设备(104)的阵列。
8.根据权利要求7所述的微流控系统,进一步包括一个或多个阀门(305)、泵(306)和/或检测器(301)。
9.一种用于制造微流控设备(104)的方法,所述方法包括:
提供具有前侧和后侧的半导体衬底(900);
在所述半导体衬底(900)中提供至少一个微反应器(105);
在所述半导体衬底(900)的前侧提供连接至所述至少一个微反应器(105)的一个或多个非贯通微流控通道(101);
通过使覆盖层(903)结合到所述半导体衬底(900)的前侧来密封所述微流控通道(101);以及
随后,从所述半导体后侧提供至少部分蚀刻,用以形成围绕所述至少一个微反应器(105)和所述一个或多个微流控通道(101)的至少一个贯通衬底的沟(100),所述围绕使得所述至少一个微反应器(105)和所述一个或多个微流控通道(101)彼此之间并且与所述微流控设备(104)的其它部分之间被所述至少一个贯通衬底的沟(100)分隔开,
其中提供微流控通道(101)的步骤包括提供部分地、完全地或者多次地围着所述微反应器(105)缠绕的微流控通道(101)。
10.根据权利要求9所述的方法,其中从半导体后侧提供至少部分蚀刻用以形成至少一个贯通衬底的沟(100)的步骤包括从衬底(900)的后侧完整地形成沟(100)。
11.根据权利要求9所述的方法,其中从半导体后侧提供至少部分蚀刻用以形成至少一个贯通衬底的沟(100)的步骤包括从衬底(900)的前侧部分地形成沟(100)且从衬底(900)的后侧部分地形成沟(100)。
12.根据权利要求9至11中任意一项权利要求所述的方法,进一步包括提供用于加热或冷却所述微反应器(105)的装置。
13.根据权利要求9至11中任意一项权利要求所述的方法,其中从半导体后侧提供贯通衬底的沟(100)的步骤包括:
研磨半导体衬底(900)并进行后侧光刻,以及
图案化并蚀刻所述贯通衬底的沟(100)。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于IMEC公司;鲁汶天主教大学;松下电器产业株式会社,未经IMEC公司;鲁汶天主教大学;松下电器产业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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