[发明专利]成膜装置和基板处理装置

权利要求书

1.一种成膜装置，其在真空容器内反复多次进行依次向基板供给多种处理气体的循环而形成薄膜，其中，

该成膜装置包括：

旋转台，其设置在上述真空容器内，在旋转台上表面上，在周向上具有用于载置基板的基板载置区域，该旋转台使该基板载置区域公转；

多个处理气体供给部，其用于向在该旋转台的周向上互相分隔开的处理区域分别供给互不相同的处理气体；

分离部，其配置有分离气体喷嘴，并从上述旋转台的中央侧延伸到外周侧，用于向形成在各处理区域之间的分离区域供给分离气体而使各处理区域的气氛分离开；

排气口，其设置在上述旋转台的外缘侧，用于对上述真空容器内的气氛进行真空排气；

上述分离部包括：

第1顶面，其设置在比上述分离气体喷嘴靠上述旋转台的旋转方向下游侧的位置，在该第1顶面与上述旋转台的上表面之间从该旋转台的中央侧到外周侧形成有狭窄的空间，用于阻止处理气体进入到该狭窄的空间中；

第2顶面，其设置在比上述分离气体喷嘴靠上述旋转台的旋转方向上游侧的位置，从上述旋转台的中央侧到外周侧形成为比上述第1顶面位置高；

上述排气口以与气体滞留空间相连通的方式设置，该气体滞留空间为上述第2顶面和上述旋转台之间的区域。

2.根据权利要求1所述的成膜装置，其中，

为了抑制处理气体进入到上述气体滞留空间中，在上述气体滞留空间中靠上述旋转台的旋转方向上游侧的部分，从上述旋转台的中央侧到外周侧形成有从上述第2顶面朝向上述旋转台延伸的壁面部。

3.根据权利要求1所述的成膜装置，其中，

为了将自上述分离气体喷嘴喷出的分离气体引导到上述排气口，在上述旋转台的外缘部的比上述气体滞留空间靠外周侧的部分与上述真空容器的内壁面之间设有从上述分离气体喷嘴的侧方侧到上述排气口以与该分离气体喷嘴的长度方向交叉的方式延伸的引导面。

4.根据权利要求1所述的成膜装置，其中，

上述分离部分别设置在各处理区域之间；

上述排气口分别独立于各分离部设置。

5.一种基板处理装置，其在真空容器内反复多次进行依次供给多种处理气体的循环而对基板进行处理，其中，

该基板处理装置包括：

旋转台，其设置在上述真空容器内，在旋转台上表面上，在周向上具有用于载置基板的基板载置区域，该旋转台使该基板载置区域公转；

多个处理气体供给部，其用于向在该旋转台的周向上互相分隔开的处理区域分别供给互不相同的处理气体；

分离部，其配置有分离气体喷嘴，并从上述旋转台的中央侧延伸到外周侧，用于向形成在各处理区域之间的分离区域供给分离气体而使各处理区域的气氛分离开；

排气口，其设置在上述旋转台的外缘侧，用于对上述真空容器内的气氛进行真空排气；

上述分离部包括：

第1顶面，其设置在比上述分离气体喷嘴靠上述旋转台的旋转方向下游侧的位置，在该第一顶面与上述旋转台的上表面之间从该旋转台的中央侧到外周侧形成有狭窄的空间，用于阻止处理气体进入到该狭窄的空间中；

第2顶面，其设置在比上述分离气体喷嘴靠上述旋转台的旋转方向上游侧的位置，从上述旋转台的中央侧到外周侧形成为比上述第1顶面位置高；

上述排气口以与气体滞留空间相连通的方式设置，该气体滞留空间为上述第2顶面和上述旋转台之间的区域。

6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其中，

为了抑制处理气体进入到上述气体滞留空间中，在上述气体滞留空间中靠上述旋转台的旋转方向上游侧的部分，从上述旋转台的中央侧到外周侧形成有从上述第2顶面朝向上述旋转台延伸的壁面部。

7.根据权利要求5所述的基板处理装置，其中，

为了将自上述分离气体喷嘴喷出的分离气体引导到上述排气口，在上述旋转台的外缘部的比上述气体滞留空间靠外周侧的部分与上述真空容器的内壁面之间设有从上述分离气体喷嘴的侧方侧到上述排气口以与该分离气体喷嘴的长度方向交叉的方式延伸的引导面。

8.根据权利要求5所述的基板处理装置，其中，

上述分离部分别设置在各处理区域之间；

上述排气口分别独立于各分离部设置。