[发明专利]CMOS 集成电路和放大电路有效
| 申请号： | 201210357208.X | 申请日： | 2012-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN103138746A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 村上忠正 | 申请（专利权）人： | 三星电机株式会社 |
| 主分类号： | H03K19/0948 | 分类号： | H03K19/0948;H03F3/16;H01L29/78;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | cmos 集成电路 放大 电路 | ||
1.一种互补型金属氧化物半导体（CMOS）集成电路，包括：场效应晶体管，所述场效应晶体管具有连接至信号输入端子的栅电极、连接至电源端子的漏电极以及连接至接地端子的源电极，
所述场效应晶体管形成于绝缘体上硅（SOI）基板上，并且体电位与低于源电位的电位之间的连接是通过电阻元件来形成的。
2.根据权利要求1所述的CMOS集成电路，其中，利用所述电阻元件的电阻值，体端子和栅极端子之间的寄生电容不影响源极端子和栅极端子之间的寄生电容。
3.根据权利要求2所述的CMOS集成电路，其中，所述电阻元件的电阻值是满足以下式子1的R值的10倍，
其中，Cgb为栅-体寄生电容，ω为输入至所述场效应晶体管的信号的角频率。
4.根据权利要求1所述的CMOS集成电路，其中，所述电阻元件的电阻值是1kΩ以上。
5.一种CMOS集成电路，包括：场效应晶体管，所述场效应晶体管具有连接至信号输入端子的栅电极、连接至电源端子的漏电极以及连接至接地端子的源电极，
其中，所述场效应晶体管是通过体CMOS工艺形成的三阱式场效应晶体管，且P-阱电位与低于源电位的电位之间的连接是通过电阻元件形成的。
6.根据权利要求5所述的CMOS集成电路，其中，利用所述电阻元件的电阻值，P阱端子和栅极端子之间的寄生电容不影响源极端子和栅极端子之间的寄生电容。
7.根据权利要求5所述的CMOS集成电路，其中，所述电阻元件的电阻值是1kΩ以上。
8.一种放大电路，包括权利要求1至7中任一项所述的CMOS集成电路。
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