[发明专利]二吡啶芴类衍生物、其制备方法和应用及电致发光器件有效
申请号: | 201210357537.4 | 申请日: | 2012-09-24 |
公开(公告)号: | CN103509016A | 公开(公告)日: | 2014-01-15 |
发明(设计)人: | 黄宏;付东;申智渊;邵诗强;施建华 | 申请(专利权)人: | TCL集团股份有限公司 |
主分类号: | C07D471/04 | 分类号: | C07D471/04;C07D519/00;C09K11/06;H01L51/54 |
代理公司: | 深圳市君胜知识产权代理事务所 44268 | 代理人: | 王永文;杨宏 |
地址: | 516001 广东省惠州市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 吡啶 衍生物 制备 方法 应用 电致发光 器件 | ||
1.二吡啶芴类衍生物,其特征在于,所述二吡啶芴类衍生物的分子结构通式如下所示:
;
其中,当R1为H时,R2为、、、之一;
当R1为时,R2为。
2.一种如权利要求1所述的二吡啶芴类衍生物的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
将起始原料A,起始原料B溶解于干燥的二氯甲烷中,同时在氮气环境下加入三氟甲烷酸,加热至110℃避光反应回流24小时;然后冷却至室温,加水淬灭反应,二氯甲烷萃取,合并有机相,无水硫酸钠干燥,过滤,除去有机溶剂,用二氯甲烷与甲醇重结晶得白色固体粉末,即所述二吡啶芴类衍生物;
其中,当所述起始原料A为9-苯基-9-羟基-4,5-二吡啶芴时,所述起始原料B为4,4′-二甲基三苯胺、4-甲基三苯胺、三苯胺、4,4′-二苯胺基苯之一;当所述起始原料A为二吡啶芴酮时,所述起始原料B为4,4′-二甲基三苯胺。
3.根据权利要求2所述的二吡啶芴类衍生物的制备方法,其特征在于,当所述起始原料A为9-苯基-9-羟基-4,5-二吡啶芴时:起始原料B为4,4′-二甲基三苯胺时,A与B以及三氟甲烷酸的摩尔质量比为1: (1 ~ 3): (0.5 ~ 1.5);起始原料B为4-甲基三苯胺时,A与B以及三氟甲烷酸的摩尔质量比为(2 ~ 4): 1: (1 ~ 3);起始原料B为三苯胺时,A与B以及三氟甲烷酸的摩尔质量比为(3 ~ 6): 1: (1.5 ~ 4.5);起始原料B为4,4′-二苯胺基苯时,A与B以及三氟甲烷酸的摩尔质量比为: (4 ~ 8): 1: (2 ~ 6)。
4.根据权利要求2所述的二吡啶芴类衍生物的制备方法,其特征在于,当所述起始原料A为二吡啶芴酮,起始原料B为4,4′-二甲基三苯胺时,A与B以及三氟甲烷酸的摩尔质量比为1: (2 ~ 8): (1 ~ 3)。
5.一种如权利要求1所述的二吡啶芴类衍生物的应用,其特征在于,将所述二吡啶芴类衍生物作为蓝光磷光主体发光材料用于制备电致发光器件。
6.一种电致发光器件,包括玻璃,所述玻璃上从里向外依次附着有导电玻璃衬底层、空穴注入层、空穴传输层、激子阻档层、发光层、电子传输层、电子注入层和铝电极,其特征在于,所述发光层是由如权利要求1所述的二吡啶芴类衍生物和掺杂材料组成;所述掺杂材料为铱金属络合物。
7.根据权利要求6所述的电致发光器件,其特征在于,所述空穴注入层为MoO3,所述空穴传输层为NPB,所述激子阻档层为mCP,所述电子传输层为TmPyPB,所述电子注入层LiF。
8.根据权利要求7所述的电致发光器件,其特征在于,所述空穴注入层的厚度为5 ~ 15 nm,所述空穴传输层的厚度为20 ~ 60nm,所述激子阻挡层的厚度为2 ~ 10 nm,所述发光层的厚度为10 ~ 60 nm,所述电子传输层的厚度为30 ~ 60 nm,所述电子注入层的厚度为0.5 ~ 2 nm。
9.根据权利要求6所述的电致发光器件,其特征在于,所述掺杂材料为FIrpic,掺杂浓度为4%~8%。
10.根据权利要求9所述的电致发光器件,其特征在于,所述FIrpic的掺杂浓度为7%。
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