[发明专利]防伪上光膜无效

专利信息
申请号: 201210357717.2 申请日: 2012-09-24
公开(公告)号: CN103680301A 公开(公告)日: 2014-03-26
发明(设计)人: 张惠平 申请(专利权)人: 昆山亿达包装有限公司
主分类号: G09F3/02 分类号: G09F3/02;B32B33/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 215300 江苏省苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 防伪 上光
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种上光膜,尤其涉及一种防伪上光膜。

背景技术

上光膜又叫复膜,覆膜(laminating),是指以透明塑料薄膜通过热压覆贴到印刷品表面,起保护及增加光泽的作用,复膜已被广泛用于书刊的封面,画册,纪念册,明信片,产品说明书,挂历和地图等进行表面装帧及保护。目前,常见的复膜包装产品有纸箱、纸盒、手提袋、化肥袋、种子袋、不干胶标签等,现有上光膜结构简单,形式单一,不美观,附加本发明的目的在于,克服现有技术的上述缺陷,提供一种构思新颖,具有防伪性能的防伪上光膜。

发明内容

为实现所述目的,本发明提供一种防伪上光膜,包括衬底层,所述衬底层内表面印制有防伪层,所述防伪层下表面设有胶粘层。 

本发明优选方案中,所述防伪层包括镂空感温感光变色层。

本发明优选方案中,所述胶粘层呈网格状位于所述镂空感温感光变色层下方。

本发明优选方案中,所述防伪层包括镭射防伪层。

本发明优选方案中,所述衬底层包括薄膜有机层。 

本发明优选方案中,所述衬底层的厚度在20μm ~50μm之间。

本发明优选方案中,所述防伪层的厚度在10μm ~15μm之间。

本发明优选方案中,所述胶粘层的厚度在20μm ~25μm之间。

与现有技术相比,本发明的在普通的上光膜中增加防伪层,并且各层结构简单,通过合理的设计使得这种上光膜美观漂亮,进一步提升了产品的附加值。

附图说明

图1是本发明防实施例防伪上光膜的结构示意图;

图2是本发明防实施例防伪上光膜中粘胶层的结构示意图。

具体实施方式

以下结合附图和实施例对本发明作进一步描述。

请结合参阅图1和图2。本实施例中防伪上光膜1包括衬底层11和衬底层11内表面的防伪层12以及防伪层12下表面设有胶粘层13。本实施例中,防伪层12为镂空感温感光变色层,因而防伪层12能显示出特定的图案。并且,请参考图2,本实施例中,胶粘层13呈网格状位于镂空感温感光变色层下方,两层直接层叠,因而无论什么时候,只要一开封或揭起防伪上光膜1就会立即将特定的图案破坏掉,且绝对不能复原,也不能重复使用。  在特定的温度下,胶粘带防伪层12中还会显现特定的图案。在弱光和强光的照射下,胶粘带防伪层12中相同图案会产生不同的颜色变化。本发明优选方案中,衬底层11包括薄膜有机层。 并且其厚度本在20μm-50μm之间。而防伪层12的厚度在10μm-15μm之间,胶粘层13的厚度在20μm-25μm之间。

在本发明的另一实施例中,如图1所示的防伪上光膜1的防伪层12包括镭射防伪层。镭射防伪又名机激光防伪,包括激光全息图像防伪标识、加密激光全息图象防伪标识和激光光刻防伪技术三方面。全息防伪技术包括常规全息防伪技术,多通道全息防伪技术,隐形加密技术,360°计算机点阵全息技术,双层全息技术,荧光加密全息技术,动态编码防伪技术,电话电码防伪技术,核微孔防伪技术以及基因防伪技术,并具有图像清晰、色彩绚丽、立体感强、一次性使用的特点。多通道全息防伪在转动标识时,会看到在标识的同一位置上出现不同的图案。隐形加密技术将加密图案制作于标识的任一位置,在激光再现仪下方可看到加密图案。360°计算机点阵全息技术在图像360°的观察范围内会出现放射状、环状、螺旋状等光点的组合与变换,动感极强。双层全息技术能把全息标识揭开,还能看到印有图案和文字的第二防伪层,有双保险的防伪效果。荧光加密全息技术原理与人民币荧光加密原理一样。动态编码防伪是将商标置于眼前,缓慢地转动商标会出现连续动作的图案。电话电码防伪标识是由激光防伪技术和电话电码防伪技术相结合制作而成,通过查询统一的中心数据库可以核对真伪。核微孔防伪标识由激光防伪技术和核微孔防伪技术组成,仅用一只水笔便可分辨真伪。基因防伪是在标识背胶中加入基因因子,通过专用仪器进行检测。常用的是激光彩虹模压全息图文防伪技术,它是应用激光彩虹全息图制版技术和模压复制技术,在产品上制作的一种可视的图文信息。本实施例中防伪上光膜1包括衬底层11和衬底层11内表面的防伪层12以及防伪层12下表面设有胶粘层13。本实施例中,防伪层12为上述镭射防伪层。此时粘胶层13对应地为整层的粘层结构。

以上所述具体实施方式,目的是为了使本领域技术人员更好的理解本发明的精神,然而本发明的保护范围并不以这些具体实施方式的描述限定范围,任何本领域的技术人员在不脱离本发明创造精神的范围内,可以对本发明的具体实施例做修改,而不脱离本发明的保护范围。

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