[发明专利]插柱和穿透互连方式有效

专利信息
申请号: 201210359588.0 申请日: 2006-06-14
公开(公告)号: CN103346134A 公开(公告)日: 2013-10-09
发明(设计)人: 约翰·特雷扎;约翰·卡拉汉;格雷戈里·杜多夫 申请(专利权)人: 丘费尔资产股份有限公司
主分类号: H01L23/48 分类号: H01L23/48;H01L21/768;H01L21/603;H01L25/065
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 王波波
地址: 美国特*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 穿透 互连 方式
【权利要求书】:

1.一种半导体芯片,包括:

集成电路(IP)焊盘;以及

电耦合到所述IC焊盘的器件;

其中,所述IC焊盘还被电耦合到电触电;并且

其中,所述电触点具有:

第一表面,所述第一表面被配置为帮助使所述电触点在低于另一半导体芯片上的韧性触点的熔点的温度穿透进入所述韧性触点,其中,所述第一表面从所述电触点的尖端向外朝向所述IC焊盘成角;以及

第二表面,所述第二表面被配置为耦合到所述韧性触点并用以在所述电触点穿透进入所述韧性触点之后防止所述电触点与所述韧性触点的分离,其中,所述第二表面比所述第一表面更靠近所述IC焊盘,并且其中,所述第二表面从所述第一表面的末端向内朝向所述电触点的中心并且朝向所述IC焊盘成角。

2.如权利要求1所述的半导体芯片,其中,所述电触点的横截面轮廓包括锥形和截头的锥形中的一种。

3.如权利要求1所述的半导体芯片,其中,所述电触点包括在具有所述第二表面的第二几何形状的顶部的具有所述第一表面的第一几何形状。

4.如权利要求3所述的半导体芯片,其中:

所述第一几何形状具有尖端部分和相对所述尖端部分的第一展开部分;

所述第二几何形状具有相对所述尖端部分的第二展开部分;并且

所述第一展开部分和所述第二展开部分彼此邻接。

5.如权利要求1所述的半导体芯片,其中,所述电触点的横截面轮廓包括颠倒的梯形。

6.如权利要求5所述的半导体芯片,还包括位于所述倒转的梯形顶部上的三角形。

7.如权利要求6所述的半导体芯片,其中,所述第二表面在所述电触点的最接近所述半导体芯片的部分定义了底切。

8.如权利要求1所述的半导体芯片,其中,所述第二表面定义了所述电触点的基底附近的底切。

9.如权利要求1所述的半导体芯片,还包括位于所述电触点的基底附近的翼部分。

10.如权利要求1所述的半导体芯片,其中,所述电触点还被配置为当穿透进入所述韧性触点时使得所述韧性触点的至少一部分变形。

11.一种半导体芯片的电触点,包括:

用于帮助使所述电触点在低于另一半导体芯片上的韧性触点的熔点的温度穿透进入所述韧性触点的装置,其中,用于帮助穿透的装置包括第一表面,所述第一表面从用于帮助穿透的装置的尖端向外朝向所述半导体芯片成角;以及

用于当所述电触点被耦合到所述韧性触点时确保所述韧性触点和所述电触点之间的牢固物理连接的装置,其中,用于确保牢固物理连接的装置包括第二表面,所述第二表面比所述第一表面更靠近所述半导体芯片,并且其中,所述第二表面从所述第一表面的末端向内朝向所述电触点的中心成角。

12.如权利要求11所述的电触点,其中,用于确保牢固物理连接的装置包括底切。

13.一种电子系统,包括:

第一电子芯片,其上具有集成电路(IC)焊盘;以及

第二电子芯片,通过耦合到所述IC焊盘的电连接而接合到所述第一电子芯片;

其中,所述电连接包括插柱和韧性金属;并且

其中,所述插柱具有:

第一表面,所述第一表面被配置为帮助使所述插柱在低于所述韧性金属的液化温度的温度穿透进入所述韧性金属,其中,所述第一表面从所述插柱的尖端向外朝向所述IC焊盘成角;以及

第二表面,所述第二表面被配置为耦合到所述韧性触点并用以在所述插柱穿透进入所述韧性金属之后防止所述插柱与所述韧性金属的分离,其中,所述第二表面比所述第一表面更靠近所述IC焊盘,并且其中,所述第二表面从所述第一表面的末端向内朝向所述电触点的中心成角。

14.如权利要求13所述的电触点,其中,所述插柱包括:

包括所述第一表面的第一部分;和

包括所述第二表面的第二部分。

15.如权利要求14所述的电触点,其中,所述第一部分包括锥形、截头的锥形、三角形、多个同心脊中的一种或多种,并且其中,所述第二部分包括翼和底切中的一种。

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