[发明专利]一种输出功率自动调节的射频功率放大器电路

权利要求书

1.一种输出功率自动调节的射频功率放大器电路，其特征是：包括依次连接的偏置电路（21）、射频功率放大器电路（22）和输出功率检测电路（23），输出功率检测电路（23）的输出端再连接到偏置电路（21）的输入端；

所述偏置电路（21）为射频功率放大器电路（22）提供偏置电压，该偏置电压根据输出功率检测电路（23）的输出电压值自动调节，进而控制射频功率放大器电路（22）的输出功率，使得输出功率稳定在设定范围内；

所述射频功率放大器电路（22）采用全差分放大器电路结构，将系统前级提供的差分输入信号进行放大并输出功率，驱动后级负载；

所述输出功率检测电路（23）检测射频功率放大器电路（22）的输出功率值，并将功率值转化为相应地直流电压值进行输出，并供给偏置电路（21）。

2.如权利要求1所述的输出功率自动调节的射频功率放大器电路，其特征在于，所述偏置电路（21）包括：第八PMOS管（M8）的源端接电源（VDD），第八PMOS管（M8）的栅端和漏端连接在一起，并连接电流基准（I_REF）的一端和第九PMOS管（M9）栅极，第八PMOS管（M8）为第九PMOS管（M9）提供偏置电压，电流基准（I_REF）的另一端接地（GND），第九PMOS管（M9）的源端连接电源（VDD），漏端连接第十一PMOS管（M11）的漏端，同时还连接到第十NMOS管（M10）的漏端和栅端，第十NMOS管（M10）的栅端和漏端连接在一起，形成一个偏置电压提供给射频功率放大器电路（22），第十NMOS管（M10）的源端连接地（GND），第十一PMOS管（M11）的源端经过第三电阻（R3）连接到电源（VDD），第十一PMOS管（M11）的栅端连接运算放大器（OPA1）的输出端，运算放大器（OPA1）连接成单位增益负反馈的结构，即其反相输入端与输出端相连，运算放大器（OPA1）的同相输入端连接功率检测电路（23）的输出端；功率检测电路（23）的输出信号经过运算放大器（OPA1）的隔离后控制第十一PMOS管（M11）的栅端，从而控制流过第十NMOS管（M10）的电流，进而能够控制射频功率放大器电路（22）的输出功率值，使其稳定在设定值附近。

3.如权利要求2所述的输出功率自动调节的射频功率放大器电路，其特征在于，所述射频功率放大器电路（22）的结构包括：

第五NMOS管（M5）为射频功率放大器电路（22）的尾电流源，其栅端连接偏置电路（21）中第十NMOS管（M10）的栅端和漏端，第五NMOS管（M5）源端接地（GND），第五NMOS管（M5）漏端连接第一输入NMOS管（M1）和第二输入NMOS管（M2）的源端，为两个输入NMOS管提供偏置电流；

第一输入NMOS管（M1）和第二输入NMOS管（M2）的源端连接在一起，并连接第五NMOS管（M5）的漏端，其中第一输入NMOS管（M1）的栅端连接系统前级提供的差分输入信号的一端（V_IN），第二输入NMOS管（M2）的栅端连接系统前级提供的差分输入信号的另一端（V_IP）；

第一输入NMOS管（M1）的漏端连接第三NMOS管（M3）的源端，第三NMOS管（M3）栅端连接电源（VDD），第三NMOS管（M3）的漏端是射频功率放大器电路（22）的一个输出端（VOP），连接负载电路，同时输出信号给后级负载；第一输入NMOS管（M1）和第三NMOS管（M3）构成共源共栅输入级，增加了输出信号到输入信号之间的隔离；

第二输入NMOS管（M2）的漏端连接第四NMOS管（M4）的源端，第四NMOS管（M4）的栅端连接电源（VDD），第四NMOS管（M4）的漏端是射频功率放大器电路（22）的另一个输出端（VON），连接负载电路，同时输出信号给后级负载；第二输入NMOS管（M2）和第四NMOS管（M4）构成共源共栅输入级，增加了输出信号到输入信号之间的隔离；

第一电感（L1）和第一电容（C1）的两端分别连接在一起，形成第一负载电路，所述第一负载电路一端连接电源（VDD），另一端连接第三NMOS管（M3）的漏端，以及第三隔直电容（C3）的一端，将输出信号经第三隔直电容（C3）送到功率检测电路（23）；

第二电感（L2）和第二电容（C2）的两端分别连接在一起，形成第二负载电路，所述第二负载电路一端连接电源（VDD），另一端连接第四NMOS管（M4）的漏端，以及第四隔直电容（C4）的一端，将输出信号经第四隔直电容（C4）送到功率检测电路（23）。