[发明专利]使用选择性外延生长制造的半导体器件

权利要求书

1.一种具有选择性再生长的栅极区的半导体器件，所述半导体器件包含：

衬底；

形成在所述衬底上的P型缓冲层；

形成在所述缓冲层上的n型沟道层；

形成在所述沟道层上的凸起的n型区域；和

在凸起的n型区域之间的p型栅极区。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述p型栅极区包括在凸起的n型区域之间的p^-层和p⁺层。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述p型栅极区为一个p型层。

4.如权利要求1～3中任一项所述的半导体器件，所述半导体器件包含：在所述n型区域上形成的欧姆接触和在该欧姆接触上形成的最终的金属层，从而形成源接触和漏接触。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述p型栅极区通过包括以下步骤的方法形成：

将该器件的源区和栅极区用再生长掩模材料和蚀刻掩模材料进行图案化形成再生长掩模和蚀刻掩模；

蚀刻该器件的未掩蔽部分直至所述沟道层；

在该器件的活性沟道区域上图案化形成光致抗蚀剂蚀刻掩模；

干式蚀刻该器件的未掩蔽部分直至所述衬底，并剥去所述光致抗蚀剂蚀刻掩模和所述蚀刻掩模；

再生长所述p型栅极区；和

剥离所述再生长掩模。

6.一种具有选择性再生长的源/漏区的半导体器件，所述半导体器件包含：

衬底；

形成在所述衬底上的P型缓冲层；

形成在所述缓冲层上的n型沟道层；

生长在所述沟道层上的p型栅极层；和

在露出的所述沟道层上以及所述p型栅极层的侧壁上再生长的n型源/漏区。

7.如权利要求6所述的半导体器件，其中，所述n型源/漏区包括在露出的所述沟道层上以及所述p型栅极层的侧壁上再生长的n^-层和n⁺层。

8.如权利要求6所述的半导体器件，其中，所述n型源/漏区通过包括以下步骤的方法形成：

在所述p型栅极层上形成再生长掩模层，在所述再生长掩模层上图案化形成干式蚀刻掩模；

蚀刻所述再生长掩模层和下面的所述p型栅极层直至露出下面的所述n型沟道层；

除去所述干式蚀刻掩模；

在与所述p型栅极层相邻的露出的所述沟道层上以及所述p型栅极层的侧壁上再生长所述n型源/漏区；和

除去所述再生长掩模。