[发明专利]选择性蚀刻方法

权利要求书

1.一种选择性蚀刻方法，其特征在于，包括下列步骤：

提供一硅基板；

在所述硅基板上形成一图案化硅氧化物罩幕；以及

导入一混合气体对所述硅基板进行蚀刻，用以在所述硅基板中形成一狭缝，并同时完全移除所述图案化硅氧化物罩幕，所述混合气体包括氟碳气体与卤素气体，且所述氟碳气体与所述卤素气体的比例介于1∶1～5∶1。

2.根据权利要求1所述的选择性蚀刻方法，其特征在于，所述硅基板为多晶硅。

3.根据权利要求1所述的选择性蚀刻方法，其特征在于，所述硅氧化物罩幕为四乙氧基硅烷。

4.根据权利要求1所述的选择性蚀刻方法，其特征在于，以等离子蚀刻方法对所述硅基板进行蚀刻。

5.根据权利要求1所述的选择性蚀刻方法，其特征在于，所述氟碳气体包括四氟甲烷与三氟甲烷。

6.根据权利要求5所述的选择性蚀刻方法，其特征在于，所述四氟甲烷与三氟甲烷的比例介于1∶1～1∶3。

7.根据权利要求1所述的选择性蚀刻方法，其特征在于，所述卤素气体包括氟气或氯气。

8.根据权利要求1所述的选择性蚀刻方法，其特征在于，所述狭缝的深度大于200nm。