[发明专利]一种金属氧化物平面开关型液晶显示面板及其制造方法有效
申请号: | 201210361088.0 | 申请日: | 2012-09-26 |
公开(公告)号: | CN102929062A | 公开(公告)日: | 2013-02-13 |
发明(设计)人: | 焦峰;王海宏 | 申请(专利权)人: | 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 |
主分类号: | G02F1/1368 | 分类号: | G02F1/1368;G02F1/1362;G02F1/1343;G02F1/1333;H01L21/77 |
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地址: | 210033 江苏省南京市仙林大道科*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 金属 氧化物 平面 开关 液晶显示 面板 及其 制造 方法 | ||
1.一种金属氧化物平面开关型液晶显示面板,其特征在于,包括:
扫描线;
信号线,与扫描线纵横交叉;
像素单元,由扫描线和信号线交叉限定,所述每个像素单元包括薄膜晶体管和像素电极,所述薄膜晶体管包括与扫描线电性连接的TFT栅极、与信号线连接线电性连接的TFT源极、以及与栅格状像素电极电性连接的TFT漏极;
共通电极线,与扫描线平行设置;
栅格状共通电极,与共通电极线电性连接;该栅格状共通电极与栅格像素电极均交错位于像素区域。
2.根据权利要求1所述的金属氧化物平面开关型液晶显示面板,其特征在于:所述信号线包括第一信号线、相邻像素单元的第二信号线和位于第一信号线和第二信号线之间的信号线连接线。
3.根据权利要求2所述的金属氧化物平面开关型液晶显示面板,其特征在于:所述信号线连接线、TFT源极、TFT漏极以及栅格状像素电极为金属氧化物,其上通过离子注入方式成为具有导体特性的透明电极。
4.根据权利要求2所述的金属氧化物平面开关型液晶显示面板,其特征在于:所述信号线连接线、TFT源极、TFT漏极以及栅格状像素电极位于顶层。
5.根据权利要求2所述的金属氧化物平面开关型液晶显示面板,其特征在于:所述信号线连接线、TFT源极、TFT漏极以及栅格状像素电极位于底层。
6.根据权利要求1所述的金属氧化物平面开关型液晶显示面板,其特征在于:所述信号线、扫描线、共通电极线、以及栅格状共通电极位于底层。
7.根据权利要求1所述的金属氧化物平面开关型液晶显示面板,其特征在于:所述信号线、扫描线、共通电极线、以及栅格状共通电极位于顶层。
8.根据权利要求1所述的液晶显示面板,其特征在于:所述TFT源极与TFT漏极之间设有保护层。
9.一种金属氧化物平面开关型液晶显示面板的制造方法,其特征在于,包括如下步骤:
第一步:在基板上形成底层金属氧化物层,具体形成:信号线连接线图案、与信号线连接线连接的源漏极连接线图案、以及与源漏极连接线连接的栅格状像 素电极图案;
第二步:在源漏极连接线的中间形成保护层图案,然后利用离子注入方式让保护层以外的金属氧化物成为具有导体特性的透明电极;
第三步:在形成第二步图案的基础形成绝缘层图案,并在信号线连接的两端形成第一接触孔和第二接触孔;
第四步:在绝缘层图案上以金属形成信号线、扫描线、共通电极线、与共通电极线连接的栅格状共通电极、以及与扫描线连接的TFT栅极的图案,栅格状共通电极与位于底层的栅格状像素电极交错设置;信号线的两端通过相邻像素单元的信号线连接的第一接触孔和第二接触孔连接。
10.一种金属氧化物平面开关型液晶显示面板的制造方法,其特征在于,包括如下步骤:
第一步:在基板上以底层金属形成信号线、扫描线、共通电极线、与共通电极线连接的栅格状共通电极线、以及与扫描线连接的TFT栅极的图案;
第二步:在底层金属上形成绝缘层,并在信号线、扫描线、共通电极线相应位置上形成接触孔图形;
第三步:在第二步形成的绝缘层上以金属氧化物形成信号线连接线、与信号线连接线连接的源漏极连接线、与源漏极连接线连接的栅格状像素电极、与共通电极线连接的共通电极线端子连接线、以及与扫描线连接的扫描线端子连接线;
第四步:在源漏极连接线的中间形成保护层图形,然后利用阳离子注入方式让沟道保护层图形以外的金属氧化物成为具有导体特性的透明电极。
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