[发明专利]一种金属点残留少的电容触摸屏的金属电极制作方法有效
申请号: | 201210361475.4 | 申请日: | 2012-09-24 |
公开(公告)号: | CN102929459A | 公开(公告)日: | 2013-02-13 |
发明(设计)人: | 周朝平;肖新煌 | 申请(专利权)人: | 晟光科技股份有限公司 |
主分类号: | G06F3/044 | 分类号: | G06F3/044 |
代理公司: | 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 | 代理人: | 余成俊 |
地址: | 233000 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 金属 残留 电容 触摸屏 金属电极 制作方法 | ||
1.一种金属点残留少的电容触摸屏的金属电极制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)、在基板上真空溅射ITO薄膜层,真空度:0.01~0.5Pa,温度:220~350℃,ITO薄膜层的厚度5nm~25nm;
(2)、在ITO薄膜层上涂布光刻胶,将ITO薄膜层覆盖,光刻胶的厚度1000~2000nm,均匀性10%以内,预烘温度:60~100℃;
(3)、对光刻胶进行曝光,即在光刻胶上光刻电极图形,曝光条件为:紫外光波长:365nm,光通量:60~150mj,ITO电极图案的光罩是菲林或者铬板,菲林或者铬板距离基板的尺寸:20微米~200微米;
(4)、对光刻胶进行显影并硬化,显影采用有机碱,浓度1~4%,或者NaOH,浓度0.1~0.8%,温度:20~40℃,时间20秒~300秒,硬化温度:80~120℃,时间20~50分钟;
(5)、蚀刻ITO薄膜层,形成ITO薄膜层电极图形,蚀刻使用材料:HCL10%~20%+HNO3 2%~10%,温度:40~60℃,时间:120~600秒;
(6)、去除光刻胶,形成ITO电极,使用材料:有机溶液,有机溶液为:二甘醇丁醚80~90%+已醇胺10%~20%,时间5分钟内,最后用纯水漂洗;
(7)、在ITO薄膜层电极图形层上镀金属层,真空度0.01~0.5Pa,温度:40~250℃;
(8)、在金属层上涂布二次光刻胶,二次光刻胶的厚度500~2000nm,均匀性10%以内,预烘温度:60~100℃;
(9)、对光刻胶进行曝光,即在二次光刻胶上光刻电极图形,曝光条件为:紫外光波长:365nm,光通量:60~150mj,金属电极图案的光罩是菲林或者铬板,菲林或者铬板距离基板的尺寸20微米~200微米;
(10)、对一次曝光过后的电极图形上进行二次曝光,曝光条件为:紫外光波长:365nm,光通量:60~150mj,金属电极图案的光罩是菲林或者铬板,菲林或者铬板距离基板的尺寸20微米~200微米;
(11)、对二次光刻胶进行显影并硬化,形成电极图形,显影采用有机碱,浓度1~4%,或者NaOH,浓度0.1~0.8%,温度:20~40℃,时间20秒~300秒,硬化温度:80~120℃,时间20~50分钟;
(12)、蚀刻金属层,使金属层形成金属电极图形,用弱酸蚀刻金属层,蚀刻时间控制在10分钟内,弱酸组成:磷酸50%~80%+醋酸5%~15%;
(13)、去除二次光刻胶,形成金属电极,使用材料:有机溶液,有机溶液为:二甘醇丁醚80%~90%+已醇胺10%~20%,时间:5分钟内,再用纯水漂洗。
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