[发明专利]磁阻感测组件与磁阻传感器

权利要求书

1.一种磁阻感测组件，其特征在于，包含：

一长形的水平磁阻层，位于一基板的表面上方，沿着其长度延伸方向具有第一侧以及与该第一侧相对的第二侧；

一导电部，在该水平磁阻层的上方或下方与其电耦合，该长形的水平磁阻层与该导电部构成至少一电流路径；

一第一磁场感应层，不平行于该基板表面，在该水平磁阻层的该第一侧处与该水平磁阻层磁耦合。

2.如权利要求1所述的磁阻感测组件，其特征在于，该水平磁阻层与该磁场感应层包含异向性磁阻材料。

3.如权利要求1所述的磁阻感测组件，其特征在于，该水平磁阻层与该磁场感应层的电阻值会随外在磁场变化而改变，其包含铁磁材料、反铁磁材料、非铁磁性金属材料、穿隧氧化物材料的其中任一或其组合。

4.如权利要求1所述的磁阻感测组件，其特征在于，该导电部包含多个长形导电条，该多个长形导电条的长度延伸方向皆与该水平磁阻层的长度延伸方向夹一相等的锐角。

5.如权利要求1所述的磁阻感测组件，其特征在于，该第一磁场感应层是自该水平磁阻层的该第一侧向上或向下延伸。

6.如权利要求1所述的磁阻感测组件，其特征在于，该第一磁场感应层可为长条形或包含多个离散子部。

7.如权利要求1所述的磁阻感测组件，其特征在于，该导电部包含自该水平磁阻层的该第一侧朝向该第二侧延伸的多个第一侧导电部以及自该水平磁阻层的该第二侧朝向该第一侧延伸的多个第二侧导电部。

8.如权利要求1所述的磁阻感测组件，其特征在于，第二磁场感应层，自该水平磁阻层的该第二侧向上或向下延伸，并与该水平磁阻层磁耦合。

9.如权利要求7所述的磁阻感测组件，其特征在于，还包含：该第一磁场感应层位于该水平磁阻层的该第一侧，且包含多个离散子部，该多个离散子部的每一个皆由该水平磁阻层的该第一侧向上或向下延伸；不平行于该基板表面的第二磁场感应层，位于该水平磁阻层的该第二侧处与该水平磁阻层磁耦合，该第二磁场感应层且包含多个离散子部，该多个离散子部的每一个皆由该水平磁阻层的该第二侧向上或向下延伸。

10.如权利要求9所述的磁阻感测组件，其特征在于，该第一磁场感应层的该多个离散子部与该第二磁场感应层的该多个离散子部是沿着该水平磁阻层的长度延伸方向以交错方式配置。

11.如权利要求1所述的磁阻感测组件，其特征在于，第三磁场感应层，不平行于该基板表面，位于该水平磁阻层的上方与该水平磁阻层磁耦合。

12.如权利要求9所述的磁阻感测组件，其特征在于，该第一磁场感应层的该多个离散子部与对应的该多个第一侧导电部在第一侧上至少部分交迭，且该第二磁场感应层的该多个离散子部与对应的该多个第二侧导电部在第二侧上至少部分交迭。

13.如权利要求9所述的磁阻感测组件，其特征在于，该多个的第一侧导电部与该多个的第二侧导电部是沿着该水平磁阻层的长度延伸方向以交错或对称方式配置。

14.如权利要求1所述的磁阻感测组件，其特征在于，至少一第一磁通量集中结构。

15.如权利要求1所述的磁阻感测组件，其特征在于，还包含至少一第一磁通量集中结构且该第一磁场感应层还包含多个离散子部，该至少一第一磁通量集中结构，沿着该水平磁阻层的长度延伸方向与该第一磁场感应层的该至少一离散子部交替配置，且该至少一第一磁通量集中结构自该水平磁阻层的该第一侧处向上延伸并与该水平磁阻层磁耦合。

16.如权利要求14所述的磁阻感测组件，其特征在于，该至少一第一磁通量集中结构可为沟槽侧壁上的磁性层的形式或具有大块磁性块材的形式。

17.如权利要求7所述的磁阻感测组件，其特征在于，在该水平磁阻层中由该第一侧导电部流向相邻该第二侧导电部的电流具有第一导通方向，且由该第二侧导电部流向相邻该第一侧导电部的电流具有第二导通方向，该第一导通方向不平行于该第二导通方向。

18.如权利要求17所述的磁阻感测组件，其特征在于，该第一导通方向与该水平磁阻层的长度延伸方向之间的锐夹角等于该第二导通方向与该水平磁阻层的长度延伸方向之间的锐夹角。