[发明专利]一种薄膜温度烧蚀复合传感器及其制备方法

权利要求书

1.一种薄膜温度烧蚀复合传感器，其特征在于，所述薄膜温度烧蚀复合传感器（1）包括基片（2），设于基片（2）上的过渡层（3），设于过渡层（3）上的薄膜热电偶阵列；所述薄膜热电偶阵列上设有保护膜（6）；所述薄膜热电偶阵列由两个以上包括A电极（4）和B电极（5）的薄膜热电偶（10）构成；所述薄膜热电偶（10）包括将薄膜热电偶（10）的热电势信号引出的补偿导线（7）；所述基片（2）材料为Al₂O₃陶瓷；所述过渡层（3）材料为Ta₂O₅；所述保护膜（6）为电介质材料。

2.如权利要求1所述的薄膜温度烧蚀复合传感器，其特征在于，所述基片（2）直径为50mm～150mm，厚度0.5mm～1mm；所述过渡层（3）厚度为0.05μm～0.1μm；所述薄膜热电偶（10）的厚度为0.2μm～0.5μm；所述保护膜（6）厚度为0.1μm～0.2μm。

3.如权利要求1所述的薄膜温度烧蚀复合传感器，其特征在于，所述薄膜热电偶（10）为R型热电偶、B型热电偶或S型热电偶。

4.如权利要求3所述的薄膜温度烧蚀复合传感器，其特征在于，所述薄膜热电偶（10）为R型热电偶。

5.如权利要求1所述的薄膜温度烧蚀复合传感器，其特征在于，所述保护膜（6）材料为SiO₂。

6.一种如权利要求1～5之一所述薄膜温度烧蚀复合传感器的制备方法，包括如下步骤：

（1）清洗基片；

（2）将基片与薄膜热电偶A电极的不锈钢掩膜套装在一起并放于沉积镀膜系统的行星架上；

（3）依次在基片表面淀积过渡层薄膜和薄膜热电偶A电极的薄膜材料，取下不锈钢掩膜；

（4）将基片与薄膜热电偶B电极的不锈钢掩膜板套装在一起并放于沉积镀膜系统的行星架上；

（5）依次在基片表面淀积过渡层薄膜和薄膜热电偶B电极的薄膜材料；取下不锈钢掩膜；

（6）将经上述步骤制成的薄膜热电偶基片放入高温气氛退火炉，对制备的热电偶薄膜进行退火；

（7）将薄膜热电偶基片与不锈钢掩膜套装在一起并放入沉积镀膜系统行星架，沉积保护膜；

（8）切片制得薄膜温度烧蚀复合传感器；

（9）将薄膜温度烧蚀复合传感器上薄膜热电偶的电极与补偿导线焊接。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，步骤（6）所述的退火温度为600℃～800℃，退火气氛为真空。

8.如权利要求6所述的方法，其特征在于，步骤（6）所述的退火时间为0.5～1小时。