[发明专利]区熔石墨舟

说明书

技术领域

本发明涉及一种石墨舟，特别涉及一种区熔石墨舟。

背景技术

区熔法是一种利用局部区域熔化后，通过熔区的运动进行提纯的方法，它是一种制备高纯单晶的方法，广泛应用于硅锗等单晶的制备。区熔法主要可分为水平区熔法和悬浮区熔法两种，两种方法生产工艺不同。

物质的固相和液相在密度差的驱动下，均会发生运动，因而可通过区域熔炼控制或者重新分配存在于原料纸的可溶性杂质。同时区熔法可有效消除分凝效应，也可将所期望的杂质均匀掺入晶体中，并在一定程度上控制盒消除位错、包裹体等结构缺陷。

区熔法是利用热能在半导体棒料的一端产生一熔区，再熔接单晶籽晶。调节温度使熔区缓慢地向棒的另一端移动，通过整根棒料，生长成一根单晶，晶向与籽晶晶向相同。区熔法适宜生长那些在熔点温度时具有非常强的溶解能力的材料，可生长熔点极高或活性较强的材料。区熔法主要分为两种，即水平区熔法和悬浮区熔法。水平区熔提纯是只把材料锭的一部分熔化形成熔区，并使熔区从锭条的一端移动另一端。因为每次熔化的仅是锭条的一部分，当熔区第二次在锭首时，由于杂质浓度较高的尾部没被熔化，所以小熔区中的杂质浓度一定比原来锭的杂质浓度要小，熔区移动后，新凝固的固相杂质浓度要比第一次小。这样当熔区一次次通过锭条时，材料就能逐渐被提纯，使中间部分纯度达到要求的程度。生产中，锗锭放在一个清洁处理过的高纯区熔石墨舟中，舟放入石英管中，区熔时，石英管内填充氢气或其他惰性气体保护或者抽真空，防止锗在高温时被氧化。现有区熔石墨舟为整体结构，杂质的流动仅仅靠区熔过程中产生的动力，影响到提纯的质量，无杂质储存的区域，不易区分杂质。

发明内容

本发明的目的是解决上述不足，提供一种杂质流动具有更好的导向性，且具有存放杂质的区域的，区熔石墨舟。

实现本发明目的的技术方案是：一种区熔石墨舟，具有石墨舟本体，开设在石墨舟本体内部的凹槽，所述石墨舟本体中还具有杂质凹槽，凹槽与杂质凹槽之间由隔块间隔开。

上述的区熔石墨舟，所述杂质凹槽与凹槽的接触面为梯形结构，另一端即尾端为半圆形。

上述的区熔石墨舟，所述杂质凹槽的深度为凹槽深度的60%。

上述的区熔石墨舟，所述杂质凹槽与凹槽的长度比为1:7。

上述的区熔石墨舟，所述隔块（为轴截面为梯形的隔块。

    本发明具有积极的效果：（1）采用两段设计，能够对杂质流动有较好的导向性；（2）具有单独的杂质储存区域，提高提纯效率。

附图说明

为了使本发明的内容更容易被清楚地理解，下面根据具体实施例并结合附图，对本发明作进一步详细的说明，其中

图1为本发明的结构示意图的俯视图；图2为本发明的剖面示意图。

其中1 石墨舟本体，2 凹槽，3 杂质凹槽，4 隔块。

具体实施方式

见图1，本发明具有石墨舟本体1，开设在石墨舟本体1内部的凹槽2，凹槽2两个顶端间的长度为405mm，深度为36mm；石墨舟本体1中还具有杂质凹槽3，凹槽3的长度为57mm，深度为21.6mm，凹槽2与杂质凹槽3之间由隔块4间隔开，隔块4的轴截面为梯形，杂质凹槽3与凹槽2的接触面为梯形，另一端即尾端为半圆形。

以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。