[发明专利]基于动态纳米刻划技术制作滚筒压模的方法

权利要求书

1.一种基于动态纳米刻划技术制作滚筒压模的方法，其特征在于：将具有纳米结构的平面压模与待加工滚筒表面接触，利用平面压模的断开面的边缘在待加工滚筒表面刻划出纳米尺度的线栅。

2.根据权利要求1所述的基于动态纳米刻划技术制作滚筒压模的方法，其特征在于：所述平面压模为硅片。

3.权利要求1或2所述的平面压模的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

、通过具有纳米结构的第一平板对第一滚筒进行压印，在第一滚筒表面形成与所述第一平板表面纳米结构互补的结构；

、通过第一滚筒对第二平板进行压印，在第二平板的表面形成与第一滚筒表面纳米结构互补的结构，获得平面压模。

4.根据权利要求3所述的平面压模的制作方法，其特征在于，所述步骤中，所述第一滚筒的表面均匀涂布有UV固化材料或热塑性材料。

5.根据权利要求3所述的平面压模的制作方法，其特征在于，所述步骤中，所述第二平板的制作步骤具体包括：

（一）在第二平板表面上均匀涂布UV固化材料或热塑性材料；

（二）通过第一滚筒对第二平板进行压印，在UV固化材料或热塑性材料上形成与第一滚筒表面纳米结构互补的结构；

（三）通过等离子刻蚀技术将UV固化材料或热塑性材料上的纳米结构传递到第二平板中，形成具有表面微观结构的平板，即平面压模。

6.根据权利要求3所述的平面压模的制作方法，其特征在于，所述第一平板为硅片。

7.根据权利要求3所述的平面压模的制作方法，其特征在于，所述第一平板的长度大于等于所述第一滚筒的周长。

8.根据权利要求3所述的平面压模的制作方法，其特征在于，所述第二平板的长度等于所述待加工滚筒的待加工表面的长度。

9.根据权利要求3所述的平面压模的制作方法，其特征在于，所述步骤中，所述第一平板对第一滚筒进行压印之前，还需在所述第一平板的表面通过气相沉积法制作一层抗粘层，所述抗粘层为全氟辛基三氯硅烷。