[发明专利]有源矩阵式有机电致发光二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种有源矩阵式有机电致发光二极管，其特征在于，包括：有机电致发光二极管本体及电性连接于该有机电致发光二极管本体的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管形成于基板上，其包括形成于基板上的半导体层、形成于半导体层上的栅极绝缘层、形成于栅极绝缘层上的栅极、形成于栅极上的保护层、及形成于保护层上的源极与漏极，该发光二极管本体包括形成于保护层上并电性连接于薄膜晶体管的阳极、形成于阳极上的有机发光层、及形成于有机发光层上的阴极，所述有机电致发光二极管本体交错设置于该薄膜晶体管的上方。

2.如权利要求1所述的有源矩阵式有机电致发光二极管，其特征在于，所述栅极由第一金属层通过光罩制程形成，所述源极与漏极由第二金属层通过光罩制程形成，所述有机电致发光二极管本体的阳极由透明导电层通过光罩制程形成。

3.如权利要求2所述的有源矩阵式有机电致发光二极管，其特征在于，所述透明导电层为氧化铟锡层。

4.如权利要求1所述的有源矩阵式有机电致发光二极管，其特征在于，所述基板为玻璃或塑胶基板。

5.如权利要求1所述的有源矩阵式有机电致发光二极管，其特征在于，所述光罩制程包括曝光、显影及蚀刻工艺。

6.一种有源矩阵式有机电致发光二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1、提供基板；

步骤2、在基板上形成半导体层；

步骤3、在半导体层上形成栅极绝缘层；

步骤4、在栅极绝缘层上形成第一金属层，并通过光罩制程形成栅极；

步骤5、在栅极上形成保护层；

步骤6、在保护层上依次形成透明导电层及第二金属层，并通过光罩制程定义金属传导区域及发光区域，其中，所述第二金属层形成位于金属传导区域的源极与漏极，透明导电层形成发光区域的有机电致发光二极管本体的阳极，该阳极电性连接于漏极；

步骤7、在有机电致发光二极管本体的阳极上形成有机电致发光二极管本体的发光层及阴极，进而制得有源矩阵式有机电致发光二极管。

7.如权利要求6所述的有源矩阵式有机电致发光二极管的制备方法，其特征在于，所述基板为玻璃或塑胶基板。

8.如权利要求6所述的有源矩阵式有机电致发光二极管的制备方法，其特征在于，所述光罩制程包括曝光、显影及蚀刻工艺。

9.如权利要求6所述的有源矩阵式有机电致发光二极管的制备方法，其特征在于，所述透明导电层为氧化铟锡层。