[发明专利]一种金属氧化物边缘场开关型液晶显示面板及其制造方法

权利要求书

1.一种金属氧化物边缘场开关型液晶显示面板，其特征在于，包括：

扫描线；

信号线，与扫描线纵横交叉，所述信号线包括第一信号线、相邻像素单元的第二信号线和位于第一信号线和第二信号线之间的信号线连接线；

像素单元，由扫描线和信号线交叉限定，所述每个像素单元包括薄膜晶体管和像素电极，所述薄膜晶体管包括与扫描线电性连接的TFT栅极、与信号线连接线电性连接的TFT源极、与像素电极电性连接的TFT漏极、以及TFT沟道区，所述TFT沟道区位于底层；

栅格状共通电极，位于顶层；

共通电极线，与所述栅格状共通电极线电性连接；

第一绝缘层，覆盖在TFT沟道区之上；

第二绝缘层，覆盖在信号线、扫描线和共通电极线之上；

第三绝缘层，覆盖在TFT源极、TFT漏极及像素电极之上。

2.一种金属氧化物边缘场开关型液晶显示面板，其特征在于，包括：

扫描线，位于顶层；

信号线，与扫描线纵横交叉，所述信号线包括第一信号线、相邻像素单元的第二信号线和位于第一信号线和第二信号线之间的信号线连接线；

像素单元，由扫描线和信号线交叉限定，所述每个像素单元包括薄膜晶体管和栅格状像素电极，所述薄膜晶体管包括与扫描线电性连接的TFT栅极、与信号线连接线电性连接的TFT源极、与栅格状像素电极电性连接的TFT漏极、以及TFT沟道区，所述TFT沟道区位于底层；

共通电极；

共通电极线，位于所述共通电极线电性连接；

第一绝缘层，覆盖在TFT沟道区之上；

第二绝缘层，覆盖在信号线、扫描线及共通电极线之上。

第三绝缘层，覆盖在信号线连接线、TFT源极、TFT漏极以及栅格状像素电极之上。

3.根据权利要求1或2所述的金属氧化物边缘场开关型液晶显示面板，其特征在于：所述TFT沟道区由金属氧化物制成。

4.根据权利要求1或2所述的金属氧化物边缘场开关型液晶显示面板，其特征在于：所述像素电极、TFT源极、以及TFT漏极由透明ITO制成的。

5.一种金属氧化物边缘场开关型液晶显示面板的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

第一步：在基板上以底层金属氧化物层先形成源漏极连接线，再形成第一绝缘层；

第二步：在形成第一步图案的基础以金属形成信号线、扫描线、共通电极线与TFT栅极的图案；

第三步：在形成第二步图案的基础上形成第二绝缘层，并在信号线、扫描线、共通电极线、源漏极连接线的相应位置上形成接触孔图形；

第四步：在第二绝缘层以透明ITO层形成信号线连接线、与信号线连接线连接的TFT源极、TFT漏极、与TFT漏极连接的像素电极、与共通电极线连接的共通电极线端子连接线、以及与扫描线连接的扫描线端子连接线；

第五步：在形成第四步图案的基础上形成第三绝缘层，并共通电极线的相应位置上形成接触孔图形；

第六步：在第三绝缘层上形成栅格状共通电极图形，通过共通电极线上的接触孔连接栅格状共通电极与共通电极线。

6.一种金属氧化物边缘场开关型液晶显示面板的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

第一步：在基板上以底层金属氧化物层先形成源漏极连接线，再形成第一绝缘层；

第二步：在形成第一步图案的基础以金属形成信号线、扫描线、共通电极线、以及与扫描线连接的TFT栅极的图案；

第三步：在形成第二步图案的基础上形成第二绝缘层，并在共通电极线的相应位置上形成接触孔图形；

第四步：在第二绝缘层上形成共通电极图形，该共通电极通过共通电极线上的接触孔连接共通电极与共通电极线；

第五步：在形成第四步图案的基础上形成第三绝缘层，并在信号线、扫描线、共通电极线和源漏极连接线的相应位置上形成接触孔图形；

第六步：在第三绝缘层以透明ITO层形成信号线连接线、与信号线连接线连接的TFT源极、TFT漏极、与TFT漏极连接的栅格状像素电极、与共通电极线连接的共通电极线端子连接线、以及与扫描线连接的扫描线端子连接线。

7.根据权利要求5或6所述的液晶显示面板的制造方法，其特征在于：所述绝缘层图形的材料是SiNx或SiO2。