[发明专利]一种金属氧化物平面开关型液晶显示面板及其制造方法有效
申请号: | 201210364180.2 | 申请日: | 2012-09-26 |
公开(公告)号: | CN102866552A | 公开(公告)日: | 2013-01-09 |
发明(设计)人: | 焦峰;王海宏 | 申请(专利权)人: | 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 |
主分类号: | G02F1/1368 | 分类号: | G02F1/1368;G02F1/1362;G02F1/1343;G02F1/1333;H01L21/77 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 210033 江苏省南京市仙林大道科*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 金属 氧化物 平面 开关 液晶显示 面板 及其 制造 方法 | ||
1.一种金属氧化物平面开关型液晶显示面板,其特征在于,包括:
扫描线;
信号线,与扫描线纵横交叉;
像素单元,由扫描线和信号线交叉限定,所述每个像素单元包括薄膜晶体管和像素电极,所述薄膜晶体管包括与扫描线电性连接的TFT栅极、与信号线连接线电性连接的TFT源极、TFT沟道区、以及与栅格状像素电极连接的TFT漏极,所述TFT沟道区由金属氧化物制成的;
共通电极线,与扫描线平行设置;
栅格状共通电极,与共通电极线电性连接;该栅格状共通电极与栅格像素电极均交错位于像素区域。
2.根据权利要求1所述的金属氧化物平面开关型液晶显示面板,其特征在于:所述信号线包括第一信号线、相邻像素单元的第二信号线和位于第一信号线和第二信号线之间的信号线连接线。
3.根据权利要求2所述的金属氧化物平面开关型液晶显示面板,其特征在于:所述信号线连接线、TFT源极、TFT漏极、栅格状像素电极、以及栅格状共通电极均由透明ITO制成的。
4.根据权利要求2所述的金属氧化物平面开关型液晶显示面板,其特征在于:所述信号线连接线、TFT源极、TFT漏极、以及栅格状像素电极均由透明ITO制成的。
5.根据权利要求1所述的金属氧化物平面开关型液晶显示面板,其特征在于:所述信号线连接线、TFT源极、TFT漏极、栅格状像素电极、以及栅格状共通电极位于顶层。
6.根据权利要求1所述的金属氧化物平面开关型液晶显示面板,其特征在于:所述信号线连接线、TFT源极、TFT漏极、以及栅格状像素电极位于顶层。
7.根据权利要求1所述的金属氧化物平面开关型液晶显示面板,其特征在于:所述信号线、扫描线、TFT栅极、以及公共电极线位于底层。
8.根据权利要求1所述的金属氧化物平面开关型液晶显示面板,其特征在于:所述信号线、扫描线、TFT栅极、共通电极线、以及栅格状共通电极位于底层。
9.一种金属氧化物平面开关型液晶显示面板的制造方法,其特征在于,包括如下步骤:
第一步:在基板上形成底层金属氧化物层,具体形成:信号线图案、共通电极线图案、扫描线图案、以及与扫描线连接的TFT栅极;
第二步:在形成第一步图案的基础上形成绝缘层,并在信号线、扫描线、共通电极线相应位置上形成接触孔图形;
第三步:在绝缘层上以透明ITO层形成连接在相邻信号线之间信号线连接线、与信号线连接线连接的TFT源极、TFT沟道区、TFT漏极、与TFT漏极连接的栅格状像素电极、以及与栅格状像素电极交错的栅格状共通电极;
第四步:在TFT沟道区上形成金属氧化物层沟道图形和沟道保护层图形。
10.一种金属氧化物平面开关型液晶显示面板的制造方法,其特征在于,包括如下步骤:
第一步:在基板上形成底层金属氧化物层,具体形成:信号线图案、扫描线图案、与扫描线连接的TFT栅极、共通电极线图案、以及与共通电极线连接的栅格状共通电极;
第二步:在形成第一步图案的基础上形成绝缘层,并在信号线、扫描线、共通电极线相应位置上形成接触孔图形;
第三步:在绝缘层上以透明层形成连接在相邻信号线之间信号线连接线、与信号线连接线连接的TFT源极、TFT沟道区、TFT漏极、以及与TFT漏极连接且与栅格状共通电极交错的栅格状像素电极;
第四步:在TFT沟道区上形成金属氧化物层沟道图形和沟道保护层图形。
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