[发明专利]二氟化氙气相刻蚀阻挡层的方法有效
| 申请号： | 201210366144.X | 申请日： | 2012-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN103700615B | 公开（公告）日： | 2018-11-06 |
| 发明（设计）人： | 王坚;贾照伟;王晖 | 申请（专利权）人： | 盛美半导体设备(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆勍 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氟化 氙气 刻蚀 阻挡 方法 | ||
1.一种二氟化氙气相刻蚀阻挡层的方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)将二氟化氙气体喷洒到裸露的阻挡层的表面；
(2)采用光束仅照射电介质层上表面的阻挡层，使电介质层上表面的阻挡层的刻蚀速率高于沟槽和连接孔侧壁上的阻挡层的刻蚀速率，其中所述光束的波长为441nm～514nm。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述光束的波长为474nm。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述光束垂直照射电介质层上表面的阻挡层。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述光束局部地照射电介质层上表面的阻挡层，移动所述光束或者移动基底使电介质层上表面的阻挡层全部被所述光束照射。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述光束是持续照射或者是脉冲式照射。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤(2)还进一步包括：向电介质层上表面的阻挡层照射第二光束，使电介质层上表面的阻挡层的温度高于沟槽和连接孔侧壁上的阻挡层的温度。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第二光束的波长不包括441nm～514nm。
8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第二光束垂直照射电介质层上表面的阻挡层。
9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第二光束局部地照射电介质层上表面的阻挡层，移动所述第二光束或者移动基底，使电介质层上表面的阻挡层全部被所述第二光束照射。
10.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第二光束是持续照射或者是脉冲式照射。
11.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在向电介质层上表面的阻挡层照射第二光束时，基于所述第二光束的反射光进行二氟化氙气相刻蚀阻挡层的终点检测。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
