[发明专利]一种N型纵向高耐压的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管

说明书

技术领域

本发明涉及功率半导体器件技术领域，更具体的说，是关于提高纵向耐压的一种漏端带有纵向超结结构的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管。

背景技术

功率半导体器件是电力电子系统中进行能量控制和转换的基本元件，电力电子技术的不断发展为功率半导体器件开拓了广泛的应用领域。以具有较快的开关速度、较宽的安全工作区特点的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管为代表的现代电力电子器件和相关产品在计算机、通讯、消费电子、汽车电子为代表的4C产业中发挥着重要作用。如今，功率器件正向着提高工作电压、增加工作电流、减小导通电阻和集成化的方向发展。超结的发明是功率金属氧化物半导体晶体管技术上的一个里程碑。

功率器件广泛应用于电力电子领域，许多的应用场合要求其必须能够承受较高的电压。而器件的耐压由横向上的耐压和纵向上的耐压两者共同决定。提高横向耐压通常采用RESURF（减小表面电场），浮空场限环，VLD（漂移区变掺杂）等技术，目前已能将横向耐压提高到很高的水平（1000V以上），此时，器件的击穿很多时候发生在纵向结构上，因此，功率器件的纵向耐压成为决定器件耐压的关键因素。

传统的提高纵向耐压的方法是增大器件的外延层厚度，但厚的外延层在工艺上势必增加隔离难度．同时也使外延时间加长，增加成本，所以为了满足高、低压兼容的需要，在硅基中采用超薄外延横向技术已成为发展的趋势。因此在横向耐压足够高时，就有必要对器件纵向结构进行优化，从而提高器件的纵向耐压，进而提高整个功率器件的击穿电压。

发明内容

本发明提供一种N型纵向高耐压横向双扩散金属氧化物半导体晶体管，本发明能提高器件的纵向耐压，从而提高整个器件的击穿电压。

本发明采用如下技术方案：

一种N型纵向高耐压的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管，包括：P型硅衬底，在P型硅衬底上设有N-漂移区、P型体区及超结结构，超结结构由连接漏区及衬底方向相间分布的N型区和P型区构成，且P型硅衬底的上表面为N-漂移区、P型体区及超结结构覆盖，在P型体区上方设有N型源区、P型体接触区及栅氧化层，在N-漂移区上方设有N型缓冲层，在N型缓冲层上方设有N型漏区，在栅氧化层上方设有多晶硅栅，在N型源区、P型体接触区、多晶硅栅、N-漂移区、N型漏区上方设有场氧化层，在N型源区及P型体接触区上接有穿通场氧化层的第一金属引线，多晶硅栅接有穿通场氧化层的第二金属引线，N型漏区接有穿通场氧化层的第三金属引线。

与现有技术相比，本发明具有如下优点：

1、本发明的带有超结结构的N型纵向高耐压的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管采用了新结构，即在N型缓冲层13和P型衬底1之间加入N型区和P型区相间分布的超结结构。相对于传统的没有纵向超结的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管（图2），本发明实现了三个面的耗尽，即超结结构中的N型区14和P型区15之间的侧面的耗尽，超结结构中的P型区15顶部与漏端N型缓冲层13底部之间的耗尽，超结结构中的N型区14底部与P型衬底1之间的耗尽。这样的耗尽机制使超结结构中的N型区14和P型区15之间完全耗尽，这相当于在N型缓冲层13和P型衬底1之间加入了一层介质层，使N型缓冲层13和P型衬底1形成PIN的二极管结构，其电场结构如图3所示，而图4为传统的没有超结结构的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管的电场分布，因为器件的纵向耐压正是对图3和图4所示电场进行积分，从图3和图4的比较可以看出，带有超结结构的N型纵向高耐压的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管的新型结构耐压比没有超结的传统的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管的耐压高，因此采用带有纵向超结的N型纵向高耐压的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管的新型结构提高了器件的耐压。

2、本发明的带有超结结构的N型纵向高耐压的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管，由于漏端下的超结结构完全耗尽，与传统的没有纵向超结结构的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管相比，具有在相同耐压下外延厚度较小，或相同厚度的外延层时，具有更高的耐压。

3、本发明的带有超结结构的N型纵向高耐压的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管，完全基于现有的制备横向双扩散晶体管的工艺，具有较好的兼容性。

4、本发明的带有超结结构的N型纵向高耐压的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管散热性好，成本低。

附图说明

图1是本发明所述的漏端带有纵向超结的N型纵向高耐压的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管。

图2是本发明所述的传统的漏端没有纵向超结的N型横向双扩散金属氧化物半导体晶体管。