[发明专利]半导体封装件中垂直配置的集成电路之间的无线通信有效
申请号: | 201210366306.X | 申请日: | 2012-09-27 |
公开(公告)号: | CN103035609A | 公开(公告)日: | 2013-04-10 |
发明(设计)人: | 热苏斯·阿方索·卡斯坦达;阿里亚·列扎·贝赫扎德;艾哈迈德礼萨·罗福加兰;赵子群;迈克尔·布尔斯 | 申请(专利权)人: | 美国博通公司 |
主分类号: | H01L23/50 | 分类号: | H01L23/50 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 田喜庆 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 封装 垂直 配置 集成电路 之间 无线通信 | ||
1.一种集成电路,包括:
第一组功能模块,形成在可用制造层的第一配置上;
第二组功能模块,形成在可用制造层的第二配置上,可用制造层的所述第一配置耦接至可用制造层的所述第二配置以形成垂直配置;以及
第一导电元件,耦接至可用制造层的所述第一配置和所述第二配置,
其中,所述集成电路被构造和配置为从具有第二导电元件的第二集成电路偏离,从而使得所述第一导电元件和所述第二导电元件被构造和配置为形成集成波导。
2.根据权利要求1所述的集成电路,其中,可用制造层的所述第一配置和所述第二配置包括:
扩散和多晶硅层,形成所述第一组功能模块和所述第二组功能模块的部件;以及
导电层,形成所述部件之间的互连。
3.根据权利要求1所述的集成电路,其中,可用制造层的所述第一配置与多个绝缘层交叉,以及:
其中,所述多个绝缘层中的一个绝缘层耦接至可用制造层的所述第二配置中的一个可用制造层以形成所述垂直配置。
4.根据权利要求1所述的集成电路,其中,可用制造层的所述第一配置和所述第二配置使用物理连接耦接在一起。
5.根据权利要求1所述的集成电路,其中,所述第一导电元件的第一部分形成在可用制造层的所述第一配置中,且所述第一导电元件的第二部分形成在可用制造层的所述第一配置中,所述第一部分耦接至所述第二部分以形成第一导电元件。
6.一种集成电路,包括:
第一组功能模块,形成在第一半导体衬底的可用制造层的第一配置上;
第二组功能模块,形成在第二半导体衬底的可用制造层的第二配置上,可用制造层的所述第一配置耦接至可用制造层的所述第二配置以形成垂直配置;以及
集成波导,耦接至所述垂直配置,被构造为通信耦接所述第一组功能模块和所述第二组功能模块。
7.根据权利要求6所述的集成电路,其中,所述集成波导包括:
第一导电元件,形成在第三半导体衬底的可用制造层的第三配置中的第一可用制造层上;以及
第二导电元件,形成在可用制造层的所述第三配置中的第二可用制造层上。
8.一种多芯片模块(MCM),包括:
第一集成电路,包括第一导电元件;以及
第二集成电路,包括第二导电元件,
其中,所述第一集成电路被构造和配置为从所述第二集成电路偏离,从而使得所述第一导电元件和所述第二导电元件被构造和配置为形成集成波导。
9.根据权利要求8所述的MCM,其中,所述第一集成电路包括:
第一组功能模块,形成在可用制造层的第一配置上;以及
第二组功能模块,形成在可用层的第二配置上,可用制造层的所述第一配置耦接至可用制造层的所述第二配置以形成垂直配置。
10.根据权利要求9所述的MCM,其中,所述导电元件的第一部分形成在可用制造层的所述第一配置中,且所述导电元件的第二部分形成在可用制造层的所述第一配置中,所述第一部分耦接至所述第二部分以形成所述第一导电元件。
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