[发明专利]一种铜大马士革结构及其制造方法

权利要求书

1.一种铜大马士革结构，其包括上下叠加设置的第一铜金属互连层（250）和第二铜金属互连层（100）；所述第一铜金属互连层（250）具有图形化的第一金属互连线，以及第二铜金属互连层（100）具有图形化的第二金属互连线；

其特征在于，所述第一金属互连线和第二金属互连线通过直接接触进行线路导通，不导通部分通过嵌入在所述第一铜金属互连层（250）和/或第二铜金属互连层（100）中的金属隔离层(220)进行隔离。

2.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述金属隔离层(220)采用低介电常数的材料构成。

3.根据权利要求2所述的结构，其特征在于，所述低介电常数材料的k值小于3.0。

4.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述金属隔离层（220）为类氧化物材料。

5.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述金属隔离层（220）厚度为所述第一铜金属互连层（250）厚度的一半。

6.一种用于制造权利要求1所述的铜大马士革结构的方法，其特征在于，所述的方法包括如下步骤：

步骤S1：在第二铜金属互连层（100）上自下而上依次沉积第一刻蚀阻挡层（210）和金属隔离层（220）；

步骤S2：光刻、刻蚀所述的金属隔离层(220)；

步骤S3：在刻蚀后表面上沉积第二刻蚀阻挡层（230）和第一铜金属互连层间的介质（240），并对所述第一铜金属互连层间的介质（240）进行平坦化；

步骤S4：光刻、刻蚀所述第一铜金属互连层间的介质（240）、第二刻蚀阻挡层（230）和第一刻蚀阻挡层（210），得到所述第一铜金属互连层（250）中第一金属互连线沟槽（242）；

步骤S5：在所述第一金属互连线沟槽（242）内填充铜金属，得到第一铜金属互连层（250）。

7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述光刻和刻蚀金属隔离层(220)、第一铜金属互连层间的介质（240）、第二刻蚀阻挡层（230）和第一刻蚀阻挡层（210）是通过传统光刻和干法刻蚀。

8.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述第二刻蚀阻挡层（230）和第一铜金属互连层间的介质（240）是通过化学气相沉积方法形成的。

9.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述第一铜金属互连层间的介质（240）的平坦化是通过化学机械抛光方法实现。

10.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述步骤S5中在第一金属互连线沟槽（242）内填充铜金属之前需沉积金属阻挡层。

11.根据权利要求10所述的制造方法，其特征在于，所述金属阻挡层是通过物理气相方法形成的。

12.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述步骤S5中第一铜金属互连层（250）是通过化学电镀方法形成的。