[发明专利]一种Sb80Te20/SbSe纳米复合多层相变薄膜及其制备和应用

权利要求书

1.一种Sb₈₀Te₂₀/SbSe纳米复合多层相变薄膜，所述Sb₈₀Te₂₀/SbSe纳米复合多层相变薄膜中Sb₈₀Te₂₀薄膜和SbSe薄膜交替排列，其中，单层Sb₈₀Te₂₀薄膜的厚度为2～16nm，单层SbSe薄膜的厚度为6～20nm，所述Sb₈₀Te₂₀/SbSe纳米复合多层相变薄膜总厚度为60～200nm。

2.如权利要求1所述Sb₈₀Te₂₀/SbSe纳米复合多层相变薄膜，其特征在于，所述Sb₈₀Te₂₀/SbSe纳米复合多层相变薄膜的化学组成为[Sb₈₀Te₂₀(a)/SbSe(b)]_x(N)，其中，a、b分别表示单层Sb₈₀Te₂₀薄膜和单层SbSe薄膜的厚度，2≤a≤16nm，6≤b≤20nm；N为所述Sb₈₀Te₂₀/SbSe纳米复合多层相变薄膜材料的厚度，60≤N≤200nm；x为Sb₈₀Te₂₀/SbSe复合膜的周期数，x为正整数并且x=N/(a+b)。

3.如权利要求2所述Sb₈₀Te₂₀/SbSe纳米复合多层相变薄膜，其特征在于，所述Sb₈₀Te₂₀/SbSe纳米复合多层相变薄膜中a≤0.8b。

4.如权利要求3所述Sb₈₀Te₂₀/SbSe纳米复合多层相变薄膜，其特征在于，所述Sb₈₀Te₂₀/SbSe纳米复合多层相变薄膜中a：b为4：10。

5.权利要求1-4任一权利要求所述Sb₈₀Te₂₀/SbSe纳米复合多层相变薄膜的制备方法，其特征在于，采用磁控溅射法，在SiO₂/Si衬底上，以Sb₈₀Te₂₀和SbSe为溅射靶材，以Ar为溅射气体，交替沉积多层Sb₈₀Te₂₀薄膜和SbSe薄膜，获得Sb₈₀Te₂₀/SbSe纳米复合多层相变薄膜材料。

6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述Sb₈₀Te₂₀和SbSe靶材均采用射频电源，溅射功率为15～25W。

7.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述Ar的纯度为体积百分比99.999%以上，气体流量为25～35SCCM，溅射气压为0.15～0.25Pa。

8.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述Sb₈₀Te₂₀靶材的纯度在原子百分比99.99%以上，所述SbSe靶材的纯度在原子百分比99.999%以上，本底真空度不大于1×10^-4Pa。

9.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述单层Sb₈₀Te₂₀薄膜和单层SbSe薄膜的厚度通过溅射时间来调控。

10.权利要求1-4任一权利要求所述Sb₈₀Te₂₀/SbSe纳米复合多层相变薄膜在相变存储器中应用。