[发明专利]一种触摸屏用ITO靶材的生产方法

权利要求书

1.一种触摸屏用ITO靶材的生产方法，其特征在于：包括下述步骤：

A.制备ITO粉：以铟锭和四氯化锡为原料，通过化学共沉淀、脱水、煅烧及球磨的工序制备得到重量百分比In₂O₃:SnO₂=97:3 、纯度≥99.99%、粒度为0.6～1.0μm 的ITO粉；

其中，所述的铟锭为4N级铟锭，所述的四氯化锡为分析纯级结晶四氯化锡；

B.制备冷压坯：将上述步骤A中所得的ITO粉经44～50MPa压力下冷压成型为冷压坯；

C.制备ITO靶材：将上述步骤B中所得到的冷压坯装在石墨模具内置于真空-气氛热压烧结炉中烧结，制得ITO靶材，其中，烧结时真空-气氛热压烧结炉内的真空度为1.0×10^-1Pa以上。

2.根据权利要求1所述的一种触摸屏用ITO靶材的生产方法，其特征在于：步骤C中所述的烧结的具体方法为：

a.以3～6℃/min的升温速率将温度升至400～550℃，保温5～10小时；

b.以3～6℃/min的升温速率将温度升至750～900℃，保温3～7小时；

c.以3～6℃/min的升温速率将温度升至1000～1200℃，保温8～12小时后，降至室温即得到ITO靶材，降温速率为10～80℃/h。

3.根据权利要求2所述的一种触摸屏用ITO靶材的生产方法，其特征在于：在烧结过程中，真空-气氛热压烧结炉需要对石墨模具内的冷压坯施加压力，所施加的压力为：

（1）从开始升温至温度到达1000～1200℃前，压力在10～60min内升至3～5t并保持，直到温度到达1000～1200℃时；

（2）当温度到达1000～1200℃后，压力在40～100min内升压至200t～250t并保压到温度降至800～600℃时为止；

（3）当温度降到800～600℃后，压力以10～80t/h的速度卸压并自然降温，降至室温时即可出炉，得到ITO靶材。

4.根据权利要求1所述的一种触摸屏用ITO靶材的生产方法，其特征在于：步骤C中烧结时真空-气氛热压烧结炉内的真空度为1.0×10^-1～1.0×10^-2Pa。