[发明专利]一种硒化霍山石斛培养物的生产方法

权利要求书

1.一种硒化霍山石斛培养物的生产方法，其特征在于：包括利用固体高盐培养基诱导获取霍山石斛无菌实生苗，黑暗协同低盐培养基选育获取耐硒霍山石斛愈伤组织，蓝光辅助低盐培养基驯化硒化霍山石斛愈伤组织，日光灯光照生产硒化霍山石斛培养物；干燥的硒化霍山石斛培养物中有机硒质量分数不低于50μg/g。

2.一种硒化霍山石斛培养物的生产方法，其特征在于所述硒化霍山石斛培养物的具体生产操作步骤如下：

（1）霍山石斛无菌实生苗的诱导：取成熟的霍山石斛果实，先用体积分数为70～75 mL/100mL的酒精水溶液漂洗3～5分钟，再用质量分数为2g/100mL的次氯酸钠水溶液浸泡20～30分钟，然后用无菌水冲洗3～5次，最后去除果皮，取出种子，将种子均匀撒在固体高盐培养基上，在温度20±2℃、光照强度2000±200勒克斯、每天光照12小时的条件下培养5～6个月，收集4～5cm高的无菌苗，即为霍山石斛无菌实生苗；所述固体高盐培养基由下列重量或体积的原料组成：蔗糖30000 mg、硝酸钾950 mg、硝酸铵825 mg、氯化钙220 mg、硫酸镁185 mg、磷酸二氢钾85 mg、硫酸锰8.45 mg、硫酸锌4.3 mg、硼酸3.1 mg、碘化钾0.415 mg、钼酸钠0.125 mg、硫酸铜0.0125 mg、氯化钴0.0125 mg、乙二胺四乙酸二钠18.625 mg、硫酸亚铁13.925 mg、肌醇50 mg、甘氨酸1 mg、盐酸吡哆醇0.25 mg、烟酸0.25 mg、盐酸硫胺素0.05 mg、琼脂5000～6000 mg、水1 L，pH值5.8；

（2）耐硒霍山石斛愈伤组织的选育：取长0.5～1.0厘米的霍山石斛无菌实生苗的带节茎段，插入第一固体低盐培养基中，在温度20±2℃、黑暗环境中培养30～35天，得到耐硒霍山石斛愈伤组织；

（3）硒化霍山石斛愈伤组织的驯化：取耐硒霍山石斛愈伤组织，转入第二固体低盐培养基中，在温度20±2℃、60μmol/m²/s光量的蓝光光照条件下培养35～45天，收集生长旺盛的翠绿色的第一愈伤组织；将第一愈伤组织转入第三固体低盐培养基中，在温度20±2℃、60μmol/m²/s光量的蓝光每天光照12小时的条件下培养35～45天，收集生长旺盛的翠绿色的第二愈伤组织；将第二愈伤组织转入第四固体低盐培养基中，在温度20±2℃、60μmol/m²/s光量的蓝光每天光照12小时的条件下培养35～45天，收集生长旺盛的翠绿色的第三愈伤组织；将第三愈伤组织转入第五固体低盐培养基中，在温度20±2℃、60μmol/m²/s光量的蓝光每天光照12小时的条件下培养35～45天，收集生长旺盛的翠绿色的第四愈伤组织；将第四愈伤组织转入第六固体低盐培养基中，在温度20±2℃、光照强度2000～2500勒克斯、日光灯每天光照12小时的条件下培养35～45天，收集生长旺盛的翠绿色的愈伤组织，即为硒化霍山石斛愈伤组织种源；

（4）硒化霍山石斛培养物的生产：取硒化霍山石斛愈伤组织种源，转入灭菌第七固体低盐培养基中，在温度20±2℃、光照强度2000～2500勒克斯、日光灯每天光照12小时的条件下培养45～50天，得硒化霍山石斛培养物；干燥的硒化霍山石斛培养物中有机硒质量分数不低于50μg/g；

所述第一固体低盐培养基、第二固体低盐培养基、第三固体低盐培养基、第四固体低盐培养基、第五固体低盐培养基、第六固体低盐培养基、第七固体低盐培养基均由下列重量或体积的原料组成：蔗糖20000 mg、硝酸钾80 mg、柠檬酸2.0 mg、硝酸钙287.0 mg、硫酸镁738.0 mg、硫酸纳53.0 mg、氯化钾65.0 mg、磷酸二氢钠19.1 mg、盐酸硫胺素0.1 mg、盐酸吡哆素0.1 mg、盐酸0.5 mg、甘氨酸3.0 mg、硫酸锰6.6 mg、硫酸锌2.7 mg、碘化钾0.75 mg、硼酸0.5 mg、琼脂5000～6000 mg、水1 L，pH值5.8；

所述第一固体低盐培养基、第二固体低盐培养基中均还含有质量分数为0.1g/L的富硒酵母，第三固体低盐培养基中还质量分数为0.2g/L的富硒酵母，第四固体低盐培养基还质量分数为0.5g/L的富硒酵母，第五固体低盐培养基、第六固体低盐培养基、第七固体低盐培养基中均还含有质量分数为1.0g/L的富硒酵母。

3.根据权利要求2所述的一种硒化霍山石斛培养物的生产方法，其特征在于：所述富硒酵母的生产菌株为中国普通微生物菌种保藏管理中心保藏的酿酒酵母（Saccharomyces cerevisiae），保藏号CGMCC 0539；富硒酵母按照专利号01100600.5的生产方法培养获得，为淡黄色或淡黄棕色的颗粒或粉末，总硒为670~730μg/g，其中无机硒不得过总硒量的15.0%。