[发明专利]一种高致密、单一四方结构铜锌锡硫材料的高压制备方法有效
申请号: | 201210366771.3 | 申请日: | 2012-09-28 |
公开(公告)号: | CN103178154A | 公开(公告)日: | 2013-06-26 |
发明(设计)人: | 姚斌;丁战辉;李永峰;李永升 | 申请(专利权)人: | 吉林大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 130012 吉林省*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 致密 单一 四方 结构 铜锌锡硫 材料 高压 制备 方法 | ||
1.一种单一四方结构的铜锌锡硫光伏电池吸收层材料的制备方法,其特征在于以硫化亚铜(Cu2S),硫化锌(ZnS)和二硫化锡(SnS2)三种化合物粉为原始材料,通过在高压条件下烧结而成。
2.一种单一四方结构的铜锌锡硫光伏电池吸收层材料的制备方法,其特征在于将硫化亚铜,硫化锌和二硫化锡粉末按等摩尔数配比混合后,在高压条件下烧结而成,压力为3~10GPa,烧结温度为500~1500℃。
3.一种单一四方结构的铜锌锡硫光伏电池吸收层材料的高压制备方法,其特征在于所提供的样品为具有单一四方结构,化学成分为Cu∶Zn∶Sn∶S=2∶1∶1∶4的铜锌锡硫材料。
4.按照权利要求1所述的铜锌锡硫光伏电池吸收层材料的制备方法,其特征在于制备的铜锌锡硫缺陷少,致密度高,晶粒尺寸为1~10微米。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的