[发明专利]存储器及其字线电压产生电路

权利要求书

1.一种字线电压产生电路，以产生存储单元字线上的读写操作字线电压，包括字线电源电压产生电路、读写控制切换单元、预译码器及行译码器，其特征在于，该字线电压产生电路还包括：

高电压产生模块，连接于一控制脉冲及高电压，并接至该预译码器的输入端，以于该控制脉冲为高时将该高电压作为该高电压产生模块的输出电压提供给该预译码器，以减少该预译码器输出的地址驱动信号的上升沿；以及

正常电压产生模块，连接于该控制脉冲及该读写控制切换单元，并接至该预译码器的输入端，以于该控制脉冲为低时将该读写控制切换单元输出的读写控制电压作为该正常电压产生模块的输出电压提供给该预译码器。

2.如权利要求1所述的字线电压产生电路，其特征在于：该高电压产生模块包括第一电平移位器、第二电平移位器、第一PMOS管及第二PMOS管，其中该第一电平移位器一输入端接该控制脉冲，另一输入端接该高电压，该第二电平移位器的输入端接该控制脉冲及该高电压产生模块输出的电压，该第一PMOS管源极接该高电压，栅极接该第一电平移位器，漏极与该第二PMOS管源极互连，该第二PMOS管栅极接该第二电平移位器，漏极与该预译码器相连。

3.如权利要求2所述的字线电压产生电路，其特征在于：该控制脉冲经该第一电平移位器进行电平移位并反相得到第一选通信号，并输出至该第一PMOS管栅极。

4.如权利要求3所述的字线电压产生电路，其特征在于：该控制脉冲经该第二电平移位器进行电平移位并反相得到第二选通信号，并输出至该第二PMOS管栅极。

5.如权利要求2所述的字线电压产生电路，其特征在于：该正常电压产生模块包括第三电平移位器、第四电平移位器、第三PMOS管及第四PMOS管，其中该第三电平移位器输入端接该读写控制单元输出的读写控制电压及一反相控制脉冲，该第四电平移位器的输入端接该反相控制脉冲及该正常电压产生模块输出的电压，该第三PMOS管源极接该读写控制电压，栅极接该第三电平移位器，漏极与该第四PMOS管互连，第四PMOS管栅极接该第四电平移位器，漏极与该预译码器相连。

6.如权利要求5所述的字线电压产生电路，其特征在于：该反相控制脉冲由该控制脉冲反相后获得。

7.如权利要求1所述的字线电压产生电路，其特征在于：该高电压为该字线电源电压产生电路中经电荷泵产生的电压。

8.如权利要求1所述的字线电压产生电路，其特征在于：该高电压为3.5V～5.5V。

9.一种存储器，包括字线电压产生电路、存储阵列及字线，该字线与该存储阵列相连，用于在该字线电压产生电路产生的读写操作字线电压的支持下读出该存储阵列中的数据或向该存储阵列写入数据，其特征在于：该字线电压产生电路还包括字线电源电压产生电路、读写控制切换单元、预译码器、行译码器、高电压产生模块及正常电压产生模块，其中高电压产生模块连接于一控制脉冲及高电压，并接至该预译码器的输入端，以于该控制脉冲为高时将该高电压作为该高电压产生模块的输出电压提供给该预译码器，以减少该预译码器输出的地址驱动信号的上升沿；正常电压产生模块，连接于该控制脉冲及该读写控制切换单元，并接至该预译码器的输入端，以于该控制脉冲为低时将该读写控制切换单元输出的读写控制电压作为该正常电压产生模块的输出电压提供给该预译码器。