[发明专利]用于射频识别的基准电压电路

说明书

技术领域

本发明涉及模拟集成电路中的基准电压电路领域，特别是涉及一种用于射频识别的基准电压电路。

背景技术

在射频识别中，由于射频识别卡片大都是无源的，所以控制卡片电路的功耗就相当关键和重要。在射频识别中，读卡机发出来的是模拟的正弦波信号，射频识别卡片需要耦合读卡机发出来的波形，并从这个波形中获得稳定的电源电压，供其他电路模块正常工作。而获得稳定的电源电压，就必须先提供稳定的基准参考电压，所以基准电压电路的设计就相当重要和关键。

在传统的基准电压电路中，有的是采用带隙基准电路产生基准电压，但是这种结构需要采用寄生PNP管，还需要运放，结构比较复杂而且功耗很大，不适用于低功耗的RFID（射频识别）产品。有的如图1所示，由启动电路，正温度系数基准电路和偏置电压电路组成。

启动电路是在电源上电时提供一路较小的电流，让偏置电压电路能够正常的工作起来；其包括：电容C1、第一NMOS管M1和第二NMOS管M2。当电源上电时，由于电容C1两端电压不能突变，第二NMOS管M2就导通，就会一路小电流流过第二PMOS管M4和第二NMOS管M2，然后第一PMOS管M3镜像第二PMOS管M4的电流，这样正温度系数基准电路就正常工作了。此时第一NMOS管M1的栅极电压较高，第一NMOS管M1导通，就将第二NMOS管M2的栅极电压拉到低电平，启动电路顺利关闭，从而完成了整个启动过程。

正温度系数电路就是产生基准电流的电路，其包括：第一PMOS管M3、第二PMOS管M4、第三NMOS管M5、第四NMOS管M6和电阻R1；通过两路互相镜像，产生比较稳定的电流。第三NMOS管M5和第四NMOS管M6都工作在亚阈值区，其电流大小由第三NMOS管M5，第四NMOS管M6和电阻R1共同决定，要求流过第三NMOS管M5的电流等于流过第四NMOS管M6的电流，而第三NMOS管M5的栅源电压就等于第四NMOS管M6的栅源电压加电阻R1上的压降。最后可按如下公式计算得到的基准电流：

Iout=2μnCox(W/L)1R12(1-1K)2]]>

其中，W/L是第三NMOS管M5的尺寸，第四NMOS管M6的尺寸是第三NMOS管M5的K倍，u_n是电子迁移率，C_ox是单位面积的栅氧化层电容。根据公式可知，得到的基准电流是个比较稳定的值，其值取决于MOS管的参数以及电阻值，几乎和电源电压VDD没有关系。

偏置电压电路包括第三PMOS管M7和电阻R2；第三PMOS管M7镜像第二PMOS管M4中流过的电流，即在第三PMOS管M7中产生一路基准电流，最后通过电阻R2得到基准电压VREF。

图1所示的基准电压电路产生的基准电压几乎与电源电压无关，而且结构简单，功耗很低，非常适用于射频识别卡。但是这种结构的基准电压电路与温度的变化关系比较大，MOS管的参数会随着温度的变化而变化，而且其本身的结构是正温度系数基准电路，产生的基准电压会随着温度的上升而上升；通过基准电压来稳定的电源电压VDD也会变化很大。当射频识别卡工作在高温时，对电路整体的性能影响较大。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种用于射频识别的基准电压电路，能够补偿正温度系数基准电路，使得产生的基准电压值更加的稳定。

为解决上述技术问题，本发明的用于射频识别的基准电压电路，包括：

一启动电路，用于完成所述基准电压电路的启动；