[发明专利]用于Flash EEPROM的数据锁存电路在审
| 申请号： | 201210367045.3 | 申请日： | 2012-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN103700400A | 公开（公告）日： | 2014-04-02 |
| 发明（设计）人： | 夏天;傅志军 | 申请（专利权）人： | 上海华虹集成电路有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 flash eeprom 数据 电路 | ||
1.一种用于快闪式电可擦写只读存储器Flash EEPROM的数据锁存电路，其特征在于：每个数据锁存电路控制两条存储器位线。
2.如权利1所述的数据锁存电路，其特征在于：所述数据锁存电路通过使能选通管控制两条存储器位线。
3.如权利要求1或2所述的数据锁存电路，其特征在于，所述数据锁存电路包括：
第一NMOS管，其栅极输入清零信号，其源极接地，其漏极与第一反相器的输入端和第二反相器的输出端相连接，并与目标数据端相连接；
第二NMOS管，其栅极输入锁存信号，其源极接地，其漏极与第一反相器的输出端和第二反相器的输入端相连接，并与目标数据非端相连接；
第一PMOS管，其栅极与目标数据非端相连接，输入目标数据非信号，其源极与编程高压端相连接，其漏极与公共数据端相连接；
第三NMOS管，其栅极与目标数据非端相连接，输入目标数据非信号，其漏极与嵌位电平端相连接，其源极与公共数据端相连接；
第四NMOS管，其栅极输入第一高压使能信号，其源极与第一存储器位线相连接，其漏极与公共数据端相连接；
第五NMOS管，其栅极输入第二高压使能信号，其源极与第二存储器位线相连接，其漏极与公共数据端相连接。
4.如权利要求3所述的数据锁存电路，其特征在于：当所述清零信号有效时，数据锁存电路内的数据清零；当锁存信号有效时，数据锁存电路锁存目标数据。
5.如权利要求3或4所述的数据锁存电路，其特征在于：如果目标数据信号为“1”，即需要进行编程操作，则目标数据非信号为“0”；第一PMOS管导通，将编程高压传至公共数据端；当第一高压使能信号或第二高压使能信号有效时，将编程高压送至相应存储器位线；
若目标数据信号为“0”，即不需要进行编程，则目标数据非信号为“1”；第三NMOS管导通，将钳位电平送至公共数据端，当第一高压使能信号或第二高压使能信号有效时，则将钳位电平送至相应的存储器位线。
6.如权利1所述的数据锁存电路，其特征在于：每个数据锁存电路控制4条存储器位线，或者控制8条存储器位线，或者控制16条存储器位线，或者控制的存储器位线数量与存储器位线总数相等。
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