[发明专利]发光二极管结构与其制造方法在审
| 申请号： | 201210367164.9 | 申请日： | 2012-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN103367592A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 许嘉良;欧震;涂均祥;郭得山;柯丁嘉;邱柏顺 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/10;H01L33/00;H01L27/15 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 结构 与其 制造 方法 | ||
1.一发光二极管结构，包含：
基板；
一个或多个半导体发光叠层，位于该基板上，其中该半导体发光叠层包含第一半导体层，第二半导体层与该第一半导体层电性相异，及一发光层介于该第一半导体层及该第二半导体层之间；
第一电极，位于该基板上，与该半导体发光叠层分离，且与该第一半导体层电性相连；及
第二电极，位于该基板上，与该半导体发光叠层分离，且与该第二半导体层电性相连，
其中，该第一电极与该第二电极的高度不超过该半导体发光叠层的高度。
2.如权利要求1所述的发光二极管结构，还包含第一导电层，电连接该第一电极与该第一半导体层。
3.如权利要求1所述的发光二极管结构，还包含第二导电层，电连接该第二电极与该第二半导体层。
4.如权利要求1所述的发光二极管结构，其中该第一电极及/或该第二电极具有一反射层。
5.如权利要求4所述的发光二极管结构，其中该反射层的反射率大于该第一电极及/或该第二电极。
6.如权利要求4所述的发光二极管结构，其中该反射层包含一布拉格反射镜(DBR)结构。
7.如权利要求1所述的发光二极管结构，其中该第一电极与该第二电极不重叠。
8.如权利要求1所述的发光二极管结构，其中该第一电极与该第二电极至少部分重叠。
9.如权利要求1所述的发光二极管结构，其中该多个半导体发光叠层通过该第一电极与该第二电极形成串联、并联或串并联结构。
10.一发光二极管结构，包含：
基板；
半导体发光叠层，位于该基板上，其中该半导体发光叠层包含第一半导体层，第二半导体层与该第一半导体层电性相异，及发光层介于该第一半导体层及该第二半导体层之间；及
电极位于该半导体发光叠层上，且与该第一半导体层电性相连，其中该电极包含一反射层。
11.一发光二极管结构的制造方法，包含：
提供一基板；
提供多个半导体发光叠层于该基板之上，其中该多个半导体发光叠层与该基板之间具有第二导电层相连；
形成一第二电极在该多个半导体发光叠层之间，且与该第二导电层电性连结；
形成一电性绝缘层覆盖该第二导电层及该第二电极；及
形成一第一电极在该多个半导体发光叠层之间，且与该多个半导体发光叠层电性连结。
12.如权利要求11所述的发光二极管结构的制造方法，还包含形成第一导电层，电连接该第一电极与该半导体发光叠层。
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