[发明专利]一种具有不同切割深度的发光原件切割方法

权利要求书

1.一种具有不同切割深度的发光原件切割方法，其特征在于，所述切割方法至少包括以下步骤：

1）提供一半导体衬底，于所述半导体衬底表面制作包括多个发光外延单元的发光原件；

2）依据各该发光外延单元定义出多个切割道，并于各该切割道上制备间隔排列的多个阻挡层；

3）依据各该切割道从正面对所述发光原件发射多个激光脉冲，以于阻挡层及其下方的发光原件及半导体衬底中形成多个浅切割孔，并于未被阻挡层阻挡的发光原件及半导体衬底中形成多个深切割孔，然后去除各该阻挡层；

4）于各该发光外延单元制作电极，完成发光单元的制备；

5）依据各该发光单元对所述发光原件进行裂片，以获得相互分离的多个发光单元。

2.根据权利要求1所述的具有不同切割深度的发光原件切割方法，其特征在于：步骤3）所述的多个激光脉冲的功率及焦距相等。

3.根据权利要求1所述的具有不同切割深度的发光原件切割方法，其特征在于：所述发光外延单元的任一侧面范围内形成有多个深切割孔及多个浅切割孔。

4.根据权利要求1所述的具有不同切割深度的发光原件切割方法，其特征在于：所述半导体衬底为蓝宝石衬底、图形蓝宝石衬底、Si衬底、SiC衬底、GaP衬底、GaAsP衬底或GaAs衬底。

5.根据权利要求1所述的具有不同切割深度的发光原件切割方法，其特征在于：所述发光单元为发光二极管或激光二极管。

6.根据权利要求1所述的具有不同切割深度的发光原件切割方法，其特征在于：步骤5）中，采用刀片劈裂方式对所述发光原件进行裂片。