[发明专利]一种解决曝光不足引起的曝光区域缺陷的方法无效
| 申请号： | 201210367794.6 | 申请日： | 2012-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN102866581A | 公开（公告）日： | 2013-01-09 |
| 发明（设计）人： | 周耀辉 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;G03F7/20;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 马晓亚 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 解决 曝光 不足 引起 区域 缺陷 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种解决曝光不足引起的曝光区域缺陷的方法，其特征在于，该方法包括：
在曝光工序通过降低曝光能量而增大实际形成的临界尺寸；
在蚀刻工序先利用等离子体去除待蚀刻层上的光刻胶残留物，再继续对所述待蚀刻层进行蚀刻。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述曝光工序中掩膜版的临界尺寸小于产品所需的临界尺寸。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述等离子体为氧气和氯气的混合气体。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述等离子体为氧气和溴化氢的混合气体。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述等离子体对光刻胶的蚀刻速率为
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述等离子体对光刻胶与所述待蚀刻层的选择比至少为20:1。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述等离子体将光刻胶残留物氧化分解为水蒸汽、一氧化碳和二氧化碳。
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