[发明专利]用于制作镜头的晶圆级贴合方法有效
申请号: | 201210367894.9 | 申请日: | 2012-09-27 |
公开(公告)号: | CN102891155A | 公开(公告)日: | 2013-01-23 |
发明(设计)人: | 范世伦 | 申请(专利权)人: | 豪威科技(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G02B7/02 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 郑玮 |
地址: | 201210 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 制作 镜头 晶圆级 贴合 方法 | ||
技术领域
本发明属于半导体制造工艺技术领域,尤其涉及一种用于制作镜头的晶圆级贴合方法。
背景技术
摄像头是一种视频输入设备。镜头在摄像头中的地位相当于人的眼睛,拍摄的影像是否明亮清晰往往就取决于镜头的好坏。摄像头的镜头是透镜结构,由若干片透镜组成。目前,通常采用透镜和感应芯片贴合的工艺形成镜头。具体的说,就是将感应芯片晶圆(Wafer)切割成一个个感应芯片(Die),再将透镜晶圆切割成一个个透镜,接着,对单个透镜进行对焦,以便对单个透镜的法兰距有差异的地方进行修正,然后,采用单个透镜的抓取贴合,即单个透镜抓取感应芯片一一贴合,从而避免因透镜法兰距的差异而导致透镜失焦的问题,满足产品性能标准。这种方法形成的透镜可以实现x-y-z方向的精度要求。但是,这种工艺需要逐个抓取透镜,然后逐个对焦后再抓取感应芯片进行贴合,因此,采用单个透镜的抓取贴合实现透镜和感应芯片贴合的工艺是极其昂贵的。
为了解决上述问题,许多厂商提出晶圆级贴合形成镜头的方法。具体的说,先提供一透镜晶圆和一感应芯片晶圆,如图1所示,所述透镜晶圆包含阵列排布的透镜10,所述感应芯片晶圆包含阵列排布的感应芯片20,而每个所述的感应芯片20包括玻璃盖板(图中未示),将所述透镜晶圆和所述感应芯片晶圆对位贴合,再进行切割形成一个个独立的镜头30,这种晶圆级贴合工艺主要用于对法兰距(FFL)40偏差要求比较宽松的低端透镜(比如某些低端视频图形阵列(Video Graphics Array,VGA)产品)的制造,来提高透镜的产能。所述FFL是透镜的光心到光聚集之焦点的距离。但是,由于存在工艺误差,与理想的透镜相比,实际生产出来的每个透镜10的法兰距都可能具有一定的差异,如图1所示,标号40表示理想法兰距。当光进行传输时,单个透镜10的法兰距的差异会导致该透镜的性能比其他透镜差,如果采用严格的设计公差,这种法兰距的差异会导致许多透镜失焦,从而导致镜头无法满足性能标准。因此,对于性能要求高的高端透镜,精确聚焦变得更加重要。但是目前高端镜头产品采用上述晶圆级贴合工艺仍存在问题,有待继续解决。
发明内容
本发明的目的是提供一种用于制作镜头的晶圆级贴合方法,以在晶圆级贴合工艺中有效调整透镜晶圆和感应芯片晶圆对位贴合所形成的厚度,从而对透镜的法兰距进行补偿。
为解决上述问题,本发明提出一种用于制作镜头的晶圆级贴合方法,所述方法包括:
步骤1:提供感应芯片晶圆和透镜晶圆,所述透镜晶圆包括阵列排布的透镜,所述感应芯片晶圆包括阵列排布的感应芯片,每一感应芯片具有玻璃盖板,且所述感应芯片晶圆的感应芯片与所述透镜晶圆的透镜一一对应;
步骤2:对所述透镜晶圆的每个透镜的法兰距进行测量分析,以分别获得每一透镜相对应的法兰距补偿参数;
步骤3:根据所述透镜晶圆的每个透镜的法兰距补偿参数,在与其对应的所述感应芯片晶圆的每个感应芯片上形成扁平膜;
步骤4:将形成有扁平膜的所述感应芯片晶圆与所述透镜晶圆对位贴合。
进一步的,所述扁平膜采用光学胶体制作,较佳的,所述光学胶体的折射率与所述感应芯片晶圆的玻璃盖板的折射率相同。
进一步的,在所述步骤3中,根据每个透镜的法兰距补偿参数确定其对应的所述感应芯片上的扁平膜的厚度,并采用分步重复注模(Step-and-Repeat,SnR)的方式形成所述扁平膜。
进一步的,所述分步重复注模的方式为采用重复的点胶方式浇注形成。
进一步的,所述点胶方式采用的工具为分步重复模具。
进一步的,通过控制所述分步重复模具的参数,确定每次点胶的厚度。
进一步的,在所述步骤3中,根据所述每个透镜的法兰距补偿参数制备相应厚度的扁平膜;吸取所述扁平膜固定于其对应的感应芯片上。
进一步的,步骤4之后还包括将对位贴合后的透镜晶圆和感应芯片晶圆进行切割,以形成独立的单个镜头。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的