[发明专利]真空循环精炼太阳能级多晶硅设备及太阳能级多晶硅提炼方法

权利要求书

1.一种真空循环精炼太阳能级多晶硅设备，其特征在于：该设备包括真空脱气炉和循环法真空处理炉，其中：

该真空脱气炉包含：

真空室，包括第一抽真空嘴与结合孔；

盛硅桶，设置于该真空室内，并对应位于该结合孔的下方，用以盛装液态硅溶液或是固态硅；及，

惰性气体导入装置，设置于该盛硅桶； 

该循环法真空处理炉包含：第二抽真空嘴与单嘴连通管，该单嘴连通管经该结合孔插入该盛硅桶，并使该结合孔与该循环法真空处理炉接合处密封，又，使该惰性气体导入装置所导入的惰性气体往该单嘴连通管移动；

其中，经由该第一抽真空嘴与该第二抽真空嘴分别对该真空脱气炉与该循环法真空处理炉进行抽真空处理，并利用调整该真空脱气炉与该循环法真空处理炉的真空度来控制液态硅溶液在该循环法真空处理炉内的高度。

2.如权利要求1所述的真空循环精炼太阳能级多晶硅设备，其特征在于：所述真空脱气炉进一步与一加热炉合并制成单一炉体。

3.如权利要求1所述的真空循环精炼太阳能级多晶硅设备，其特征在于：所述真空脱气炉与该盛硅桶合并制成单一槽体。

4.如权利要求1所述的真空循环精炼太阳能级多晶硅设备，其特征在于：所述真空脱气炉、该盛硅桶进一步与一加热炉合并制成单一槽体。

5.如权利要求2或4所述的真空循环精炼太阳能级多晶硅设备，其特征在于：所述加热炉为中频炉。

6.如权利要求1所述的真空循环精炼太阳能级多晶硅设备，其特征在于：所述真空室抽真空度达0.1～0.9 atm，而该循环法真空处理炉抽真空度达0.001Pa～1000Pa。

7.如权利要求1所述的真空循环精炼太阳能级多晶硅设备，其特征在于：所述循环法真空处理炉进一步装设一实时检测设备，并于该真空脱气炉设置一电浆枪。

8.一种利用权利要求1所述的真空循环精炼太阳能级多晶硅设备进行太阳能级多晶硅的提炼方法，其特征在于：该方法包括下列步骤：

(a) 液化步骤：将硅原料液化后倒入该盛硅桶内，并使硅熔液的表面高于该单嘴连通管的管口；

(b) 抽真空步骤：对该真空脱气炉与该循环法真空处理炉进行抽真空，并使该真空室的真空度达0.1～0.9大气压，该循环法真空处理炉抽真空度达0.001Pa～1000Pa；

(c) 搅拌步骤：使该惰性气体导入装置所导入的惰性气体往该单嘴连通管移动，达到带动硅熔液搅拌，以形成扩散、脱气处理；

(d) 杂质去除步骤：去除杂质；

(e) 确认步骤：当硅熔液内的磷含量小于0.8ppm时，即可停止导入惰性气体，并降低上方循环法真空处理炉的真空度，此时硅溶液将会流回下方的该盛硅桶中；

(f) 成型步骤：将完成上述步骤的硅熔液倒入缓凝容器内，在冷却之后，先切除杂质较多的边料再进行粉碎，接着酸洗除去金属杂质后，再经方向性铸锭，即形成太阳能级多晶硅。

9.如权利要求8所述的太阳能级多晶硅的提炼方法，其特征在于：所述确认步骤中，进一步再确认硅熔液内的硼含量小于0.4ppm时，才停止导入惰性气体，又，该成型步骤中，进一步将冷却后的硅熔液粉碎至50～150目。

10.如权利要求8所述的太阳能级多晶硅的提炼方法，其特征在于：所述杂质去除步骤中进一步使用电浆枪去除杂质。