[发明专利]一种晶体硅\非晶硅双节双面电池及其制造方法

权利要求书

1.一种晶体硅/非晶硅双节双面电池，其特征在于：包括： N型硅衬底（a）、非晶硅I层（b）、微晶硅P层（c）、非晶硅N层（d）、微晶硅N层（e）、非晶硅本征层（f）、非晶硅P层（g）、透明导电电极（h）、电池的正极（j）和电池的负极（k）；

所述电池从上而下依次为：电池的正极（j）、透明导电电极（h）、非晶硅P层（g）、非晶硅本征层（f）、微晶硅N层（e）、微晶硅P层（c）、非晶硅I层（b）、N型硅衬底（a）、非晶硅I层（b）、非晶硅N层（d）、透明导电电极（h）、电池的负极（k）。

2.根据权利要求1所述的一种晶体硅/非晶硅双节双面电池的制造方法，其特征在于：具体步骤如下：

（1）对N型单晶硅半导体衬底表面绒面化并进行化学清洗;

（2）在N型硅衬底两面沉积非晶硅I层；

（3）沉积非晶硅N层；

（4）沉积微晶硅P层；

（5）沉积前电池的微晶硅N层；

（6）沉积前电池的非晶硅本征层；

（7）沉积前电池的非晶硅P层；

（8）双面制备透明导电电极；

（9）制备银电极。

3.根据权利要求1所述的一种晶体硅/非晶硅双节双面电池，其特征在于：N型硅片的电阻率为：0.3 ??cm -6 ??cm 。

4.根据权利要求1所述的一种晶体硅/非晶硅双节电池，其特征在于：沉积在N型硅片上的非晶硅I层的厚度为：5-30nm；非晶硅N和微晶硅的厚度为10nm-30nm；

根据权利要求1所述的一种晶体硅/非晶硅双节电池，其特征在于：微晶硅的N的光敏性为1-10，电导率为1-10S/cm；微晶硅P敏性为1-10，电导率在0.1-10S/cm；非晶硅I层的光敏性约为10⁵。