[发明专利]具有补偿性谐振器匹配拓扑的RF器件

权利要求书

1. 一种放大器电路，包括：

RF晶体管，其具有输入、输出和本征输出电容；

并联谐振器，其被连接到所述RF晶体管的输出，并且包括与所述RF晶体管的本征输出电容并联连接的第一电感部件；以及

串联谐振器，其将所述RF晶体管的输出连接到输出端子，并且包括与电容部件串联连接的第二电感部件，所述串联谐振器能够操作以补偿所述并联谐振器的阻抗在频率上的变化。

2. 根据权利要求1所述的放大器电路，其中，所述第一电感部件是将所述RF晶体管的输出连接到DC阻塞电容器的调谐接合线，并且所述第二电感部件是将所述RF晶体管的输出连接到RF MOS电容器的接合线，所述RF MOS电容器形成所述串联谐振器的所述电容部件。

3. 根据权利要求1所述的放大器电路，其中，所述RF晶体管是LDMOS晶体管。

4. 根据权利要求1所述的放大器电路，其中，所述RF晶体管是GaN MESFET、GaAs HBT或PHEMT。

5. 根据权利要求1所述的放大器电路，其中，随着频率增加，所述并联谐振器能够操作以变得电感性更低并且所述串联谐振器能够操作以变得电感性更高，以及随着频率降低，所述并联谐振器能够操作以变得电感性更高并且所述串联谐振器能够操作以变得电感性更低。

6. 根据权利要求1所述的放大器电路，其中，与不具有所述串联谐振器相比，具有所述串联谐振器的所述放大器电路的带宽是至少1.5X大。

7. 根据权利要求6所述的放大器电路，其中，与不具有所述串联谐振器相比，具有所述串联谐振器的所述放大器电路的带宽是至少1.7X大。

8. 根据权利要求1所述的放大器电路，其中，所述放大器电路是多赫蒂放大器电路，并且所述RF晶体管是所述多赫蒂放大器电路的主放大器。

9. 一种操作放大器电路的方法，包括：

放大输入到还具有输出和本征输出电容的RF晶体管的信号；

将第一电感部件与所述RF晶体管的本征输出电容并联连接以形成被连接到所述RF晶体管的输出的并联谐振器；

经由串联谐振器将所述RF晶体管的输出连接到输出端子，所述串联谐振器包括与电容部件串联连接的第二电感部件；以及

经由所述串联谐振器补偿所述并联谐振器的阻抗在频率上的变化。

10. 根据权利要求9所述的方法，其中，经由所述串联谐振器补偿所述并联谐振器的阻抗在频率上的变化是通过：

随着频率增加，降低所述并联谐振器的电感性并且增加所述串联谐振器的电感性；以及

随着频率降低，增加所述并联谐振器的电感性并且降低所述串联谐振器的电感性。

11. 一种放大器电路，包括：

RF晶体管，其具有输入、输出和本征输出电容，所述RF晶体管能够操作以在负载调制模式中在第一负载阻抗下以及在全功率模式中在第二较低负载阻抗下工作；

并联谐振器，其被连接到所述RF晶体管的输出，并且包括与所述RF晶体管的本征输出电容并联连接的第一电感部件；以及

串联谐振器，其将所述RF晶体管的输出连接到输出端子，并且包括与电容部件串联连接的第二电感部件，与所述并联谐振器相结合的所述串联谐振器能够操作以对于相同频率而言在所述负载调制模式和所述全功率模式这二者中为所述RF晶体管维持实负载阻抗。

12. 根据权利要求11所述的放大器电路，其中，与所述并联谐振器相结合的所述串联谐振器能够操作以在所述负载调制模式和所述全功率模式中为所述放大器电路维持相同的带宽。

13. 根据权利要求11所述的放大器电路，其中，所述放大器电路是多赫蒂放大器电路，并且所述RF晶体管是所述多赫蒂放大器电路的主放大器。

14. 根据权利要求11所述的放大器电路，其中，所述第一电感部件是将所述RF晶体管的输出连接到DC阻塞电容器的调谐接合线，并且所述第二电感部件是将所述RF晶体管的输出连接到RF MOS电容器的接合线，所述RF MOS电容器形成所述串联谐振器的所述电容部件。

15. 根据权利要求11所述的放大器电路，其中，所述RF晶体管是LDMOS晶体管。